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FORO TÉCNICO => Foro Técnico => Mensaje iniciado por: joamanya en 13 de Septiembre de 2012, 20:56:46
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Hola, se que se a preguntado esto antes, e incluso alguien subio una planilla para hacer este calculo, pero encontre un documento muy bueno en ingles, el cual tuve que copiar una parte a word por el tamaño voy a subir en este tema, el cual muestra una forma de calcular esto, para un circuito don un driver y dos IGBT, el problema es que los nombres de las distintas caracteristicas de los IGBT son distintos a los de los MOSFETs, y quizas alguien podria explicarme que es cada voltaje y cada corriente que indican ahí...
Desde ya aclaro, la explicacion de que es cada cosa está en el texto pero para IGBT y en MOSFET tienen otro nombre...
Cboot(min)=Qtot/ΔVbs
ΔVbs≤ Vcc −VF −VGEmin −VCEon
QTOT = QG +QLS + (ILK _GE + IQBS + ILK + ILK _DIODE + ILK _CAP + IDS−) ×THON
Desde ya muchisimas gracias, o si alguien ve algo mal en esto, me encantaria saber como debo hacer el calculo...
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Un mosfet es un mosfet, y un IGBT es un hibrido entre mosfet(puerta) y bjt.
Si lo que quieres es saber las caracteristicas pues simplemente miras en el datasheet
mosfet:
voltaje maximo entre drain y source = vdss (ya lo indica las letras voltaje-drain-source)
voltaje maximo entre puerta-source = vgs (voltaje-gate-source)
igbt (como ya digo es hibrido, la puerta es tipo mosfet, y lo demas bjt):
voltaje maximo entre colector-emisor = vce max
voltaje maximo entre puerta-emisor = vge max
Existen muchas mas caracteristicas, pero lo principal es saber que un mosfet se comporta como una resistencia cuando activamos la base (dependiendo del vgs tendra mas rds o menos rds) y los bjt (valido para los igbt) al activar la base/gate en igbt este cae un voltaje definido en el datasheet segun la tabla.
Sobre tu calculo pues habria que sustituir los valores segun el transistor que uses, es una operacion algo compleja porque muchas variables no se que significan, pero seguro que hay alguien del foro que te pueda echar una mano.