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FORO TÉCNICO => Electrónica de potencia => Mensaje iniciado por: micro_pepe en 02 de Diciembre de 2018, 14:08:46
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Podría valer este Mosfet:
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3205.pdf
para montar el ultimo esquema de ese datasheet:
https://datasheets.maximintegrated.com/en/ds/MAX1771.pdf
Tengo alguno por casa, pero en el datashet no veo una gráfica que indique la Rds-on respecto a Vgs de unos 2V.
Saludos!!!
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Quizás este sea más parecido al que viene en el esquema:
http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/S/T/P/3/STP3020L.shtml
y tengo varios recuperados de fuentes de PC. El que trae el ejemplo del datasheet del MAX1771, es este:
http://www.1688eric.com/upload/pdf/2012-9-21/mtd20n03hdl1.pdf
Saludos!!!
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Ese boost necesita un mosfet de más de 2 amperios. Los que has puesto van bastante sobrados.
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Lee la página 11 para elegir mosfet:
When selecting an N-FET, three important parameters
are the total gate charge (Qg), on-resistance (rDS(ON)),
and reverse transfer capacitance (CRSS).
Qg takes into account all capacitances associated with
charging the gate. Use the typical Qg value for best
results; the maximum value is usually grossly overspecified
since it is a guaranteed limit and not the measured
value. The typical total gate charge should be
50nC or less. With larger numbers, the EXT pins may
not be able to adequately drive the gate. The EXT
rise/fall time varies with different capacitive loads as
shown in the Typical Operating Characteristics.
The two most significant losses contributing to the
N-FET’s power dissipation are I2R losses and switching
losses. Select a transistor with low rDS(ON) and low
CRSS to minimize these losses.
Hay que añadir que Vth sea menor de 3V
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OK, gracias Picuino.
Saludos!!!