Autor Tema: Escritura EEPROM  (Leído 1871 veces)

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Escritura EEPROM
« en: 10 de Junio de 2014, 07:49:11 »
Muy buenas,

Tengo que escribir en la EEPROM de mi pic una serie de valores (2,4,6,8,......) en las direcciones 0 a 24 de la EEPROM, sé que tengo que utilizar:
Código: [Seleccionar]
para usar esta subrutina, debe almacenarse primeramente la dirección
;en el registro EEADR (BANCO1) y el dato en el registro EEDATA (BANCO1)
;la rutina regresa una vez que el dato fue escrito en la localidad deseada.

EEWR:     BANCO1                                            ;HABILITA EL BANCO 1
                BSF              EECON1,WREN          ;HABILITA ESCRITURA EN EEPROM
                BCF             INTCON, GIE              ; DESHABILITA INTERRUPCIONES
                MOVLW     H'55'                              ;PREPARA SECUENCIA DE SEGURIDAD
                MOVWF     EECON2                       ;ESCRIBE PRIMER DATO DE SECUENCIA
                MOVLW     H'AA'                             ;SEGUNDO DATO
                MOVWF     EECON2                       ;ESCRIBE SEGUNDO DATO DE SECUENCIA
                BSF             EECON1,WR                ;INICIA CICLO DE ESCRITURA
EW:         BTFSC        EECON1,WR                ;MALLA PARA ESPERAR AL FINAL DEL CICLO
                GOTO         EW                                 ;SI WR=1, CICLO DE ESCRITURA AUN NO TERMINA
                BCF            EECON1, WREN          ;DESHABILITA ESCRITURA
                BSF             INTCON, GIE                ;HABILITA INTERRUPCIONES
                RETURN
Ademas debo utilizar almacenamiento indirecto.

Mi pregunta es: ¿el almacenamiento indirecto lo debo utilizar para las direcciones de la EEPROM(0,1,2,3....24) o para la serie de numeros(2,4,6,8,10....,46)?
¿tiene sentido utilizar almacenamiento indirecto si luego tengo tengo que mover el valor al acumulador y del acumulador a:
EEADR
ó
EEDATA
?

Gracias


 

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