Autor Tema: Mosfet, tensión en gate, RDSon y recalentamiento ¿por que?.... bla bla bla  (Leído 13222 veces)

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Desconectado JCAK

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HOLA

No se si alguien me podrá ayudar con esta con esta consulta, pero estaba haciendo unas pruebas con un MOSFET, algo basico para probarlo a su máxima corriente.

Agarré la bateria de auto, un mosfet IRLZ24N y arme un pequeño driver para el gate con un 74ls07, recistencias y capacitores.
Recuerdo para quienes no conocen este mosfet, que con una tensión lógica es suficiente, asi que hice las pruebas con las dos tensiones en el gate, 5v sin el driver y 12v usando el driver.

El problema que tengo, es que con cualqueira de las dos tensiones en el gate, llego a 9Amp y más de eso comienza a recalentar al punto de quemarse.

Hice varios intentos, aumentando la carga de a poco y con 5 o 12V en gate el resultado es el mismo, el limite es 9/9,6Am

¿Alguien me sabe explicar qué hago mal para que termine recalentando? ... la hoja de datos dice 18Amp 55V
Tal vez no se interpretar los datos de la tensión en gate que debo usar, o tiene que ver con la RDSon, no lo se ...

Me podrán ayudar ????

Gracias
Julio - Argentina

Desconectado Veguepic

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Re: Mosfet, tensión en gate, RDSon y recalentamiento ¿por que?.... bla bla bla
« Respuesta #1 en: 01 de Noviembre de 2009, 22:35:56 »
Hola JCAK

Creo que este hilo puede aclarar tus dudas.

Tanto la tension como la intensidad son datos maximos, pero no pueden sobrepasar la potencia PD que para este integrado es de 45W y esto es con disipador a 25°C, segun los datos que pones superas largamente esta potencia (12V y 9A) incluso me parece que soporto mucho el pobre y de lo que leo entiendo que no tiene disipador.

Saludos
« Última modificación: 01 de Noviembre de 2009, 23:21:50 por Veguepic »
“Si la gente es buena sólo porque temen al castigo y porque esperan una recompensa, entonces verdaderamente somos un grupo lastimoso." Albert Einstein.

Saludos desde Lima , Peru    -    Hugo

Desconectado BrunoF

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Re: Mosfet, tensión en gate, RDSon y recalentamiento ¿por que?.... bla bla bla
« Respuesta #2 en: 01 de Noviembre de 2009, 22:40:12 »
A todo esto digamos que lo probaste usando un disipador y/o ventilacion adecuadas, no?

O sea, hay que tener en cuenta que cuando la disipacion que se genera comienza a exceder cierto valor, es normal que los componentes calienten y hasta se quemen si no logras disipar todo ese calor correctamente.

Es decir, que por datasheet soporte unos 18Amperes @ 55, no quiere decir que no va a calentar. Es tu deber asegurar que el transistor no exceda la temperatura critica.

Ademas, calculale que cualquier componente de potencia(mas aun estando en Argentina) no deberia trabajar a mas de un 80 por ciento de lo que su datasheet dice. Muchos componentes no son originales, son chinos y no son de la misma calidad que los originales de los cuales se leen los datasheets en internet.

Saludos.
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Desconectado JCAK

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Re: Mosfet, tensión en gate, RDSon y recalentamiento ¿por que?.... bla bla bla
« Respuesta #3 en: 01 de Noviembre de 2009, 23:32:42 »
Hola y gracias por intentar ayudarme ...

Leí el post de Veguepic detalladamente, con lo cual me parce confirmar que estoy haciendo bien las cosas.
YO le puse disipador con una resistencia térmica de 0,92ºC/W y bastante grande.

Podria ser que como dice BrunoF que tal vez el transistor no sea de buena calidad, pero para poder decir esto ultimo quiero estar seguro que hago bien la prueba.

Voy a leer más y probar con otros modelos de mosfet, el problema en Argentina es que los que me interesaban con niveles logicos solo consigo el IRLZ24N, pero escucho sus sugerencias si es que ya pasaron por esto del recalentamiento y no alcanzar los ampreres que dice la datasheet.

Saludos
Julio - Argentina

Desconectado Renatox_

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Re: Mosfet, tensión en gate, RDSon y recalentamiento ¿por que?.... bla bla bla
« Respuesta #4 en: 04 de Noviembre de 2009, 11:36:43 »
hola, tal ves estas usando una resistencia en serie al gate muy alta y esto estas retrasando el tiempo de conmutación ocacionando parte del calentamiento. La resistencia del pull up tal ves es muy alta. Si bien lo disparas con 5v no descuides el valor de esta resistencia. Si lo trabajas a frecuencias altas estas perdidas de switching se hacen mayores y se calienta el mosfet más.

saludos.
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Desconectado JCAK

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Re: Mosfet, tensión en gate, RDSon y recalentamiento ¿por que?.... bla bla bla
« Respuesta #5 en: 04 de Noviembre de 2009, 18:50:51 »
Renatox_

No estoy haciendo switching, solo quiero probar el mosfet a su máxima potencia en estado ON
Yo probé con 5V y con 12V en el gate y el resultado es muy similar al que ya conté.

Mi prueba no es dentro de un circuito especifico, mi prueba es con un MOSFET para ver si reciste lo que dice el fabricante y las consideraciones que debo tener con respecto al disipador. Hago esto, cansado de quedarme con la duda del tema disipación, entonces quiero aprender más.

En concrecto, no le busquen vuelta rara al tema, estoy probando el mosfet como si fuera un interruptor de luz.

Alguien probó un LRZ24N para ver cuanto corriente deja pasar o si son truchos ???

Ahora me dispongo a probar con un IRF540 y 12V en el gate, luego les cuento el resultado.

Saludos cordiales

Julio
Julio - Argentina

Desconectado Renatox_

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Re: Mosfet, tensión en gate, RDSon y recalentamiento ¿por que?.... bla bla bla
« Respuesta #6 en: 05 de Noviembre de 2009, 02:10:10 »
Mide la tension de drenador-source asegurate que sea baja, por ejm si Rds=0.1ohm entonces Vds=9*0.1=0.9v sino es asi busca la manera de saturar bien el mosfet o prueba con otro.

saludos.
control de movimiento

Desconectado Veguepic

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Re: Mosfet, tensión en gate, RDSon y recalentamiento ¿por que?.... bla bla bla
« Respuesta #7 en: 05 de Noviembre de 2009, 03:57:42 »
Hola y gracias por intentar ayudarme ...

Leí el post de Veguepic detalladamente, con lo cual me parce confirmar que estoy haciendo bien las cosas.

.................

No estoy haciendo switching, solo quiero probar el mosfet a su máxima potencia en estado ON
Yo probé con 5V y con 12V en el gate y el resultado es muy similar al que ya conté.

Mi prueba no es dentro de un circuito especifico, mi prueba es con un MOSFET para ver si reciste lo que dice el fabricante y las consideraciones que debo tener con respecto al disipador. Hago esto, cansado de quedarme con la duda del tema disipación, entonces quiero aprender más.

En concrecto, no le busquen vuelta rara al tema, estoy probando el mosfet como si fuera un interruptor de luz.

Bueno ahora sabemos que realmente estas haciendo.

La hoja tecnica es bastante clara: 18v, 55A y 45W son todos datos maximos, asi como que el primer grafico no esta hecho con Vgs en continua.

http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlz24n.pdf
“Si la gente es buena sólo porque temen al castigo y porque esperan una recompensa, entonces verdaderamente somos un grupo lastimoso." Albert Einstein.

Saludos desde Lima , Peru    -    Hugo

Desconectado JCAK

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Re: Mosfet, tensión en gate, RDSon y recalentamiento ¿por que?.... bla bla bla
« Respuesta #8 en: 07 de Noviembre de 2009, 21:43:00 »
Hola con Novedades

Hoy hice una nueva prueba, esta vez con un IRF540 de 33Amp. El problema persiste, es decir, a 9.5Amp se recalienta el mosfet.

El circuito y disipador utilizado son los que figuran a continuación:

Circuito: circuito_de_test.jpg

Disipador: disipador_zd-2k.jpg

Yo entiendo que con el dispador que estoy usando (0.92ºC/W) esto no debería suceder, no creo que a 9.5Amp deba pensar en forzar la disipación cuando veo equipos comerciales que ofrecen mayores potencias con disipadores mas chicos.

Pregunto … ¿alguien que sepa de cálculos y me diga lo que hago mal?

Quiero aprender de una buena vez este tema de los mosfet y se me ha complicado.

La otra alternativa podría ser si alguien me dice, cómo obtener 16V para el gate a partir de 12V, pero si observamos en la hoja de datos no sería necesario ese valor para obtener una buena conducción porque con 12 está bastante bien, casi saturado.

Recuerden que el problema es el mismo con un IRLZ24N que funciona con niveles lógicos, es decir que con 12V en gate debería estar más que cubierto.
Saludos y espero por ayuda … y si tengo más novedades de alguna prueba les cuento.

Gracias
« Última modificación: 07 de Noviembre de 2009, 21:45:40 por JCAK »
Julio - Argentina

Desconectado Marioguillote

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Re: Mosfet, tensión en gate, RDSon y recalentamiento ¿por que?.... bla bla bla
« Respuesta #9 en: 07 de Noviembre de 2009, 22:11:28 »
Hola Julio !

Por si nunca la viste, dáte una vuelta por esta página.
Otra cosa, no olvidemos que estamos en Argentina. ¿Cuánto pagas cada transistor?
Aquí hay otro ejemplo.

Tal vez estés haciendo bien las cosas. En mi caso particular, sucede lo que comentas en los MOSFET que se utilizan en las fuentes de alimentación de los TV. Entre el comprado en un comercio y el provisto por el importador (del TV y los materiales originales), no existe diferencia alguna, son exactos. Pero el comprado se quema a los 15 minutos (luego de calentar hasta un límite insoportable durante 14 minutos) y el provisto por el importador no alcanza siquiera 40ºC en el disipador (medido con termómetro), luego de 2 horas de funcionamiento.

Tal vez sea un dato útil.
No es algo que me contaron o leí. Me pasa a diario en mi trabajo.

Saludos cordiales !
Mario

Desconectado JCAK

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Re: Mosfet, tensión en gate, RDSon y recalentamiento ¿por que?.... bla bla bla
« Respuesta #10 en: 08 de Noviembre de 2009, 00:21:50 »
Marioquillote

Gracias por tus links, sinceramente me dejó asombrado el caso de nuestro compatriota Aitopes.
Sabia que habia componentes truchos, pero no pensé que a tal extremo.

Yo estoy comprando en Electrocomponentes los cuales tiene pinta de ser serios y siempre te sale un poco mas caro todo, pero lo que voy a hacer ahora mismo, es escribir a IR por el IRLZ24N y a ST por el IRF540, a ver que me contestan o si se portan bien y me mandan algun original 100% para probar.

La verdad que es imposible laburar asi, después Cristina K quiere poner un impuestaso porque supuestamente fortalecerìa la industria nacional, no se a quienes, porque con componentes como estos y sin ningún tipo de control, quien ayuda verdaderamente a los que apostamos por hacer algo acá.

Que mal qu eestamos, que impotencia ... la pucha.

Por favor, si alguien tiene más anécdotas o datos de donde comprar y no ser estafado, le agradezco infinitamente lo cuente acá.


Saludos.
Julio - Argentina

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Re: Mosfet, tensión en gate, RDSon y recalentamiento ¿por que?.... bla bla bla
« Respuesta #11 en: 08 de Noviembre de 2009, 02:17:58 »
Me he quedado boquiabierto con lo de los componentes falsificados. ¿Es muy frecuente encontrárselos?
Un saludo desde Sevilla, España.
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Re: Mosfet, tensión en gate, RDSon y recalentamiento ¿por que?.... bla bla bla
« Respuesta #12 en: 08 de Noviembre de 2009, 03:03:53 »
Me he quedado boquiabierto con lo de los componentes falsificados. ¿Es muy frecuente encontrárselos?
eso sucede si compra por Ebay, algunos vendedores Rastrero y pirata Rusos y Chinos hacen estos, lo que no se puede es confiar en comprar cosas muy baratas de precios,  pensar que detras de una propaganda bonita y baratas casi siempre hay algun trucos para hacer de carnadas a gente que buscas los baratos.
Empresas grande como Farnell y otras muchas no se pueden permitir este lujos ya que los deprestigia claro.
Saludos


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Re: Mosfet, tensión en gate, RDSon y recalentamiento ¿por que?.... bla bla bla
« Respuesta #13 en: 08 de Noviembre de 2009, 03:12:41 »
Hola con Novedades

Hoy hice una nueva prueba, esta vez con un IRF540 de 33Amp. El problema persiste, es decir, a 9.5Amp se recalienta el mosfet.

El circuito y disipador utilizado son los que figuran a continuación:

Circuito: circuito_de_test.jpg

Disipador: disipador_zd-2k.jpg

Yo entiendo que con el dispador que estoy usando (0.92ºC/W) esto no debería suceder, no creo que a 9.5Amp deba pensar en forzar la disipación cuando veo equipos comerciales que ofrecen mayores potencias con disipadores mas chicos.

Pregunto … ¿alguien que sepa de cálculos y me diga lo que hago mal?

Quiero aprender de una buena vez este tema de los mosfet y se me ha complicado.

La otra alternativa podría ser si alguien me dice, cómo obtener 16V para el gate a partir de 12V, pero si observamos en la hoja de datos no sería necesario ese valor para obtener una buena conducción porque con 12 está bastante bien, casi saturado.

Recuerden que el problema es el mismo con un IRLZ24N que funciona con niveles lógicos, es decir que con 12V en gate debería estar más que cubierto.
Saludos y espero por ayuda … y si tengo más novedades de alguna prueba les cuento.

Gracias

Amigo JCAK!
Yo uso en un proyecto el IRF540 para controlar un moton de LED , claro que se caliente pero lo puede tocar con las mano, por lo que veo en tu esquema usa el GATE directamente, de verdad nunca he visto un circuito asi, yo aqui puse una -resistencia de 22K, tambien veo que el DRAIN lo ataca directo a masa, osea que lo sobre carga el Mosf, te aconsejo que compence las dos cosas , la carga de Source y la del DRAIN.
Saludos

Desconectado Renatox_

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Re: Mosfet, tensión en gate, RDSon y recalentamiento ¿por que?.... bla bla bla
« Respuesta #14 en: 08 de Noviembre de 2009, 03:59:07 »
Cúanto es el valor de Vgs y cuanto el de Vds, ya los medistes cuanto sale agarra un multimetro y ve que esta pasando en tu circuito.

Ese circuito de disparo no funcionaría a frecuencia se te calentaria mas el mosfet, no se pone un condensador tan grande entre gate y source. Tampoco la resistencia al gate debe ser tan alta en funcionamiento en frecuencia aunque en aplicaciones ON/OFF podria funcionar.

El mosfet tiene una capacitancia equivalente entre gate y source y es bastante pequeña, mucho menos que 100n, en los circuitos de disparo no se recomienda poner un condensador en paralelo a la compuerta porque retrasa el disparo, en tu caso es una R muy alta y una C muy alta.

Mira la informacion técnica de IR para circuitos de disparo, pero primero mide

saludos.
control de movimiento