Hola juaperser1, en la fuente, con los BJT de seguro uno entregaría más intensidad que el otro, pero esta diferencia sería menor, o sea la diferencia de intensidades entre ambos no sería muy importante y por ese motivo podemos decir que se auto equilibraban con el uso de las resistencias de emisor.
Pero para los mosfet, no es tan simple, el uso de la resistencia de emisor (en este caso sería de SOURCE) no es posible, porque deberíamos calcular esta resistencia para una caída mínima de unos 3 a 5 volts y eso es mucha perdida de potencia.
Aparte de lo anterior, pequeñas diferencias de tensiones de polarización en un MOSFET hace que hallan grandes diferencias de corriente de SOURCE, y esto no sucede con los BJT.
Entonces, para trabajar con MOSFET en paralelo, lo que se hace es aparearlos, así se trata de "disminuir" las diferencias entre ambos, para esto se necesitan grandes tandas de transistores (para encontrar los más parecidos) y poseeremos grandes cantidades de transistores de "descarte" no aptos para esta circuitería. Este proceso es poco económico, lento y laborioso, por el hecho de que hay que probar dinámicamente cada uno de los MOSFET, identificarlos e introducir los datos en un banco para luego usar los más parecidos.
La otra opción es controlar electrónicamente la intensidad de corriente que circula por cada MOSFET que se encuentre en paralelo y actuar en consecuencia, este método es el más exacto, pero su complejidad, tanto de diseño como de construcción y puesta en marcha hacen que la fuente deje de ser "rentable" en su construcción.
Por todo lo anterior, lo que se hace en estos casos, es usar directamente transistores BJT o combinar transistores BJT para el manejo de la corriente con un solo MOSFET driver común para todos ellos (básicamente un IGBT diseñado/construido a medida), con esta última opción se trata de igualar o conseguir las características "buenas" de ambos transistores (BJT y MOSFET)
Espero se halla disipado tu inquietud, de lo contrario, solo debes de preguntar.
Un saludo.
Atte. CARLOS.