Autor Tema: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC  (Leído 36925 veces)

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Desconectado tapi8

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Re: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC
« Respuesta #15 en: 20 de Octubre de 2011, 04:58:03 »
Asi si que no hay corto, claro. Si algun condensador o resistencia hace que no corte conduccion una rama antes de entrar la otra si te hara corto.

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voy a probar con las resistencias ver...Gracias...

Si prueba.

Desconectado Yoshua

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Re: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC
« Respuesta #16 en: 20 de Octubre de 2011, 10:19:38 »
Cuales son los valores de C5 y D5 ?  Te pregunto porque el capacitor C5 es el que tiene que mantener el voltaje para la compuerta del mosfet.

Desconectado marulo

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Re: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC
« Respuesta #17 en: 20 de Octubre de 2011, 21:48:54 »
Pues hice los cálculos y el capacitor me dio de 7.7uf, y el diodo estoy colocando un 4007....pues voy a probar con capacitores de tantalio y electrolíticos no polarizados...

Desconectado pablomanieri

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Re: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC
« Respuesta #18 en: 21 de Octubre de 2011, 00:53:14 »
Hola Marulo, las resistencias de gate deben ser de valor lo más pequeño posibles, 1K es demasiado para que el mosfet se encienda correctamente. El IR2110 es capaz de dar una corriente máxima de 2A, por lo tanto le puedes colocar resistencias de gate de alrededor de 15V/2A, 7.5ohm. Así que con una resistencia de 15ohm o 20 ohm debería funcionar. Te aconsejo que estas no sean más grande que 50ohm.
 
El diodo de bootstrap debe ser un diodo ultra-rápido, el 4007 es demasiado lento y no sirve. Si calculas la corriente que tiene que soportar dicho diodo vas a ver que no es muy grande. Cuando más rápido sea el diodo mejor. Si el tiempo de recuperación es muy alto, el capacitor se descarga otra vez a la fuente y por lo tanto no se mantiene correctamente el voltaje VB.  
« Última modificación: 21 de Octubre de 2011, 01:01:47 por pablomanieri »

Desconectado marulo

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Re: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC
« Respuesta #19 en: 24 de Octubre de 2011, 17:42:57 »
Buenas tardes.....les agradezco la colaboración.....les comento que hice la prueba sin transistores, solo los ir y me sale por los HO=0 y LIN=12voltios, esto sin iniciar el sistema, al iniciarlo HO=14Voltios (Onda cuadrada),  LIN=10Volt continuo, puse unos diodos ultrafast (35ns) y la señal era la misma que poner los 1n4007, ademas de colocar el capacitor de boostrap no polarizado pues he colocado de tantalio y no hay respuesta positiva...Quisiera saber si las salidas de los IR2110, están bn o no son así, como son dos ir en ambos montajes es lo mismo..Ademas me podrían decir como probar unos mosfet IRFP250...Muchas gracias...

Desconectado Yoshua

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Re: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC
« Respuesta #20 en: 24 de Octubre de 2011, 20:28:13 »
Cuando manejas puentes H con mosfets e IR, la señal PWM va en los mosfet superiores para generar el voltaje que necesita el IR para los gates de los fets superiores.

Desconectado marulo

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Re: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC
« Respuesta #21 en: 25 de Octubre de 2011, 11:08:18 »
Gracias Yoshua, por tu tiempo, mira la verdad no creo a ver entendido muy bn, pues me dices que las señales que me salen cuadradas al probar sin los transistores van a la parte alta del puente, y las señales que me dan continuas a la parte baja…es asi????En la imagen, coloco lo que estoy montando real, solo falta una cosita en ese montaje las resistencias de 1k de Gate a tierra, como me sugeriste, de resto es igual….
Una observación es que al montar los Mosfet, las señales de salida de los IR (HO y LO), son cuadradas como te decía anteriormente y desfasadas una de otra…

Desconectado Yoshua

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Re: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC
« Respuesta #22 en: 25 de Octubre de 2011, 14:48:53 »
a lo que me refiero es que el IR necesita que se conmute los mosfets superiores para alimentar la fuente flotante para el gate del mosfet superior; si esta trabajando bien, en el pin VB tendrias que tener un voltaje igual al doble que tenes en en pin VCC menos el voltaje de la caida del diodo.

Fijate en la nota de aplicacion en la pagina 5, 3er parrafo:

http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf

Desconectado marulo

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Re: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC
« Respuesta #23 en: 01 de Noviembre de 2011, 02:47:27 »
Hola a tod@s, aca vengo con una dudita...logre que la fuente no se colocara mas en corto, y el sistema me genera las ondas en Alterna, pero lo que me pasa es que la prueba la hice con una fuente de 15 voltios, y Vb me da alrededor de 20 voltios, asi me esta funcionando (Imagenes), pero lo que pasa es que al subir el voltaje q alimenta los mosfet superiores por drain, el voltaje de VB cambien lo hace, ocasionan dome que el sistema se desestabilice y no me muestra la onda a la salida....

Desconectado marulo

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Re: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC
« Respuesta #24 en: 01 de Noviembre de 2011, 02:48:47 »
Gracias por la ayuda......

Desconectado Yoshua

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Re: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC
« Respuesta #25 en: 01 de Noviembre de 2011, 13:16:52 »
separa la alimentacion de los driver y la de los mosfet; a la alimentacion de los drivers ponele un regulador y un buen filtrado.

Desconectado marulo

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Re: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC
« Respuesta #26 en: 01 de Noviembre de 2011, 14:23:00 »
Gracias Yoshua, la verdad están independientes, a cada etapa la tengo con un regulador lm317 (uno para los IR's y otro para pruebas el los drain de los mosfet), la señal de salida me varia bn, al variar el voltaje de los drain lo disminuyo y bn pero al aumentar (Pasar de los 25 voltios), el sistema se cae...pero la fuente en DC no se va a corto y mido los Vb y están al casi al mismo voltaje del drain.. he intentado variando el capacitor de los Vb, pues dice el datasheet del los Ir que van hasta aprox. 600v... Agradezco la ayuda....

Desconectado Yoshua

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Re: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC
« Respuesta #27 en: 01 de Noviembre de 2011, 15:24:00 »
Al aumentar el voltaje de los drain, el voltaje en Vb TIENE que aumentar tambien, ese voltaje TIENE que estar 5v por arriba de los drain para que pueda conmutar el gate del mosfet.
Fijate de poner una carga de 500mA (47 ohm 10/12W) para probar el puente h con los 24v y fijate cuanto voltaje hay entre los terminales del capacitor de boostrap y en el pin Vb con respecto a masa, en el capacitor tendrias que tener el voltaje de fuente menos la caida de voltaje del diodo.
« Última modificación: 01 de Noviembre de 2011, 15:32:50 por Yoshua »

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Re: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC
« Respuesta #28 en: 02 de Noviembre de 2011, 01:44:43 »
Buenas; mira que la prueba muestra que en Vb=22.4 voltios con Vcc=16 de drain..creo haber visto e problema...pues resulta que los capacitores del regulador lm317 son de 25 voltios, pues eso puede afectar, entonces estoy mirando si funciona desde 1 a 23 voltios, pues ya seria ensayar con la fuente de potencia.Pero yoshua, el Vb puede tener voltajes de 100 voltios, pues esa es a fuente de DC????   

Gracias....

Desconectado Yoshua

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Re: Puente H con 4 Mosfets de canal N y Gate-Driver IC
« Respuesta #29 en: 02 de Noviembre de 2011, 13:22:34 »
el ir2110 aguanta 500v de aislacion para la fuente flotante. La alimentacion del ir tiene que ser entre 10 y20 volt.


 

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