Hola JCAK, iremos por partes:
* El "sink current en el gate" de los mosfet es despreciable por lo que ni siquiera se tiene en cuenta.
* ¿Por que uno y Por que otro?
Si miras en la imagen que esta adjunta veras 3 circuitos.
La figura 1 y 2 es la forma que as empleado para conectar los mosfet de canal N, la 1 esta de manera correcta, pero la 2 no, te explico:
En la figura 1 mientras el GATE no supere los 3V, por la resistencia no habrá una circulación de corriente, al momento de superar los 3V el mosfet entrara en conducción total y en la resistencia estará la circulación de corriente, si en este momento mides los pines de la resistencia entre ellos tendrás una caída de tensión de 12V (la tensión de la fuente). Tu as usado este circuito para conectar las bobinas a masa y como puedes ver funciona de manera correcta (los cortes son bruscos).
En la figura 2 "que a simple vista pareciera que tiene que funcionar" pasa lo siguiente, mientras no haya más de 3V en el GATE no habrá corriente, ahora si al GATE le colocamos 4V se producirá una circulación de corriente aumentando la tensión en el mosfet, pero si la tensión de la resistencia no superará 1V ya que si pasa de ese valor, entre el GATE y SOURCE habrá menos de los 3V necesarios para que el mosfet conduzca. Ahora al GATE le colocamos 12V sabemos que entre el GATE y SOURCE tiene que estar siempre presente los 3V de diferencia, o sea que la tensión desde SOURCE a masa se mantendrá en 12V-3V = 9V por lo que si medimos los pines de la resistencia tendremos 9V y si medimos entre los pines DRAIN Y SOURCE estarán los 3V que faltan. Como puedes ver han la figura 2 a medida que la tensión aumente en el GATE proporcionalmente lo hará en el SOURCE, por lo que el corte y conmutación de la tensión no es brusco y nunca llegará a los 12V de la fuente. Este es el motivo de que tus mosfet calienten.
En la figura 3 puedes ver la aplicación de un mosfet de canal P para conmutar los 12V de una carga que se encuentra conectada a masa. Este circuito es similar al de la figura 1 pero todo se invierte, mientras en el gate lo tensión este por encima de los 9V ( 12V-3V=9V) no habrá circulación de corriente, al momento que la tensión baja de los 9V el mosfet entrara en conducción total por lo que si mides en los pines de la resistencia estarán presente los 12V de la fuente, este circuito conmuta de forma rápida al igual que el de la figura 1, por lo que te será de utilidad para la aplicación que tu deseas.
* Se usan un tipo u otro de sistema de puente ya que como sabrás los mosfet de canal P son bastante mas caros que los de canal N, y aparte los mosfet de canal P no soportan tanta corriente como los N, solo son esos los motivo. Pero en tu aplicación el costo algo superior lo compensas con la sencillez "para usar todos N es bastante mas complicado los Drivers) y el tema de la corriente cualquier mosfet del tipo P será más que suficiente, por ejemplo puedes usar una pareja de IRF540 IRF9540, canal N y P respectivamente.
*Si bien puedes encontrar mosfet de canal N para "Logic level gate", para el canal P te será muy pero muy difícil, por lo que yo te recomendaría que uses los 12V para comandar tanto los de canal P como los N a pesar de que estos últimos los puedes manejar directamente con el PIC, lo que conseguirás manejándolos con los 12V, será un aumento en la velocidad de la conmutación, por consiguiente mar rendimiento y menos calentamiento de los transistores.
* Como ya te explique anteriormente el consumo del GATE de cualquier mosfet es tan irrisorio que ni siquiera lo podrás medir con un multímetro normal
En la segunda imagen te propongo un circuito Drivers para los mosfet que a mi personalmente me funciona con buenas prestaciones. Ten en cuenta que si pones en alto ambas entradas de una misma bobina generarás un cortocircuito por medio de los mosfet, por lo que si deseas yo te recomendaría que colocases un fusible de protección con un valor apenas superior al consumo del motor.
Espero me entiendas las explicaciones, si no es así solo vuelve a preguntar.
Un saludo.
Atte. CARLOS
