Autor Tema: Sobre mosfets... Caracteristicas (datasheet)  (Leído 2554 veces)

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Desconectado MerLiNz

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Sobre mosfets... Caracteristicas (datasheet)
« en: 22 de Septiembre de 2011, 17:16:56 »
Bueno, pues llevo mucho tiempo leyendo sobre mosfets, viendo sus datasheet y algunas cosas no las entiendo muy bien.

Estoy haciendo un proyecto el cual necesita conmutar el positivo con el dispositivo, es decir el mosfet iria ANTES de la carga.
Para esto he pensado usar un mosfet p-channel ya que con un N-channel necesitaria una VGS superior para activarlo al estar el mosfet antes que la carga.

Como los p-channel no los controlo mucho pues me gustaria saber alguna de sus caracteristicas.

El mosfet que voy a usar pone MAX VGS +-8V, esto quiere decir que la diferencia de tension entre la fuente y la puerta debe ser como maximo 8V o -8V? Es decir, si yo en la fuente tengo 13V y en la puerta 0V habria 13V, entonces se achicharraria no??
Como maximo tendria que tener 13V y 5V para no superar la VGS maxima no?

Ahora sobre la VDS, en mi mosfet a usar pone -20V, esto quiere decir que como MAXIMO la diferencia entre fuente y drenador deberian ser -20V no? Que pasaria si la caida fuese mayor de 20V? Porque en los Nchannel pone +20V y en los Pchannel -20V?

A ver si me podeis ayudar con estas dudas, para no quemar el mosfet cuando venga xD

Desconectado mtristan

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Re: Sobre mosfets... Caracteristicas (datasheet)
« Respuesta #1 en: 22 de Septiembre de 2011, 22:23:06 »
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No entiendo bien como va el circuito :? Si necesitás un VGS bajo, tal vez podrías usar un mosfet de canal permanente, porque los de canal p son medio difíciles de conseguir.
Saludos.

When you see a good move, look for a better one (Emanuel Lasker)

Desconectado MerLiNz

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Re: Sobre mosfets... Caracteristicas (datasheet)
« Respuesta #2 en: 23 de Septiembre de 2011, 00:22:13 »
el problema es que es OBLIGATORIO que el mosfet este antes de la carga, esto es porque el diseño asi lo requiere. Si uso un mosfet de canal N para que la RDS sea la minima posible (otro requisito, que la caida de tension sea la minima posible) tendria que subir el voltaje por encima de la fuente, es decir, si uso +13V tendria que subirle +16V para que la VGS se quede en 3V que quizas seria poco. El problema es que la tension maxima que tengo en el circuito es esa, para aumentarla tendria que buscarme la vida con algun IC o algun circuito, y claro para algo tan sencillo como un "switch" no me quiero complicar.

Los mosfet de P channel tienen la ventaja de que el VGS de activacion es negativo, es decir, si tengo 13V con meterle 5V ya tendria un VGS de 8V para llevarlo al minimo RDS. Es cierto que es muy dificil de conseguir p-channel, ademas de que son mas caros, pero me he pillado el NDP6020P que cumple las caracteristicas que quiero, un bajo RDS, la intensidad maxima me sobra, y el vdss me sobra tambien.

Hoy he estado leyendo mas y me ha quedado mas claro.

El VDSS significa la tension maxima de caida que puede tener el transistor, es decir, cuando este esta en corte si le aplico mas de el maximo, se achicharra, por lo cual el de -20V me viene perfecto ya que la tension maxima seran unos 14V. El porque el datasheet me pone -20V para un pchannel?? Porque los p-channel tienen el drenador y fuente invertidos a diferencia del n-channel.

El VGS supongo que sera tal como digo, si me dice max 8V quiere decir que la tension entre fuente y puerta no debe superar los 8V.


 

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