Autor Tema: dudas datas de SCR ( generico)  (Leído 2354 veces)

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dudas datas de SCR ( generico)
« en: 29 de Noviembre de 2015, 16:53:14 »
hola, estoy viendo de meterme a usar SCR  y no uso simuladores, ya que no se usarlos.
si mi simulador  es tester y a fumar estaño.

mirando las datas hay cosas que no comprendo :

miren, encontre una pagina, pero en verdad no entiendo todo , ya que abri el tema, hare lo siguiente:

pasare a un archivo de word lo que voy sacando , lo traduzco , pongo abreviatura y significado en ingles  el tema es que asi y todo algunas cosas no las comprendo bien , como por ejemplo que pone

 VTM — Peak on-state voltage at maximum rated RMS current
Pico en on a maxima corriente RMS… pero no dice si es entre cátodo y anodo

pero para ser organizado y no quedar como que quiero todo servido, primero organizo el archivo en word y lo cuelgo , y si pueden me hacen comentarios en cada punto .
gracias

mi ignorancia me enloquece !!!!!!!!   :5] .... :5]

cualquier ayuda se agradece, aunque sea un solo simbolo .
« Última modificación: 29 de Noviembre de 2015, 17:47:39 por elñato »

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Re:dudas datas de SCR ( generico)
« Respuesta #1 en: 30 de Noviembre de 2015, 00:16:37 »
Seria interesante que pudieras proveer un datasheet del SCR que estamos hablando.

En el SCR tenes Anodo - Catodo  y Gate. La potencia lo realizas sobre Anodo-Catodo. Asi que los parametros a no ser que indiquen otra cosa se referira a estos.

http://www.farnell.com/datasheets/1814178.pdf
Encontre cualquier SCR por ahi..

VTM como te dice claramente es: Es la caida de tension entre los terminales anodo y catodo, cuando se da ese pulso a maxima corriente, Se usa un pulso para que no afecte la temperatura de la junta en la medicion

IDRM - Tenes que entender que el SCR no es un switch perfecto, no es como un rele, sino que existe una pequeña corriente de fuga. En este caso esta corriente se da en estado de OFF ( por eso dije fuga ) y se da para una tension de VDRM ( Maxima tension pico repetitiva que no activaria el SCR o lo dañaria )

IRRM - Parecido a lo anterior nomas que ahora usando la tension VRRM, la principal diferencia es la direccion de la corriente. Recorda que un SCR conduce para un lado, en este caso es en "reverse" es decir intentando que conduzca contrariamente.

Vgt - Voltaje necesario para disparar el SCR en el gate. Expando un poco mas en Igt

di/dt - Es un valor a respetar y tenes que tener en cuenta que el SCR no puede soportar pasar de 0 a 40A istantaneamente, Entonces tenes que limitar la velocidad de crecimiento de la corriente a los valores maximos dados por el fabricante. No lo penses como derivada, sino como la variacion de la corriente en el tiempo, de 0A a 40A en 1s , seria 40-0 / 1 = 40 A/s, observa que las unidades estan dadas en microsegundos y no segundos como el ejemplo que di. Valores mayores destruirian al transistor

dv/dt - Este el calculo es similar al anterior, y se debe respetar. Pero en este caso significa otra cosa, lo podes ver de 2 formas, es la maxima variacion de voltaje por la cual el SCR no se va disparar solo, o como el limite por el cual a partir de alli, el SCR puede o se auto-cebaria, es decir se pondria en ON por si solo, sin pulso en el gate.

I2t - Es un valor para los fusibles, aunque es raro encontrar un datasheet de un fusible donde diga exactamente su I2t, en especial en baja potencia. Directamente compras por amperes. En fin, es el valor recomendado que da el fabricante para proteger al SCR. Se calcula con la ITSM y medio ciclo de señal (

Igt - Como su nombre lo indica parecido a Vgt, es la corriente "minima" para disparar al SCR, en el datasheet dice como maxima, pero tenes que darte cuenta que es el maximo de corriente para pasarlo de off a on. Asi que normalmente lo ves como la minima corriente a dispararlo asi te aseguras que realmente se dispare. A pesar que Vgt e Igt serian los valores "minimos" que deberias poner sobre el gate, esto NO te asegura el disparo. Para esto tendrias que ver el datasheet, si te fiajs en la figura 9 tenes la curva en la cual encierra ciertos valores. la zona sombreada es lo que se conoce como BMZ ( Bias Maximun gate non trigger Zone ) en la cual el dispositivo no se dispararia, esta zona depende de la temperatura, uno deberia asegurarse de caer en la zona delimitada como BSZ ( Bias Safe Zone ) en la cual es asgurado el disparo del tiristor.

Igm - Como que no tiene demasiada explicacion... es el pulso maximo de corriente que le podes dar al gate, solo repetir que dije "pulso" y no continuo.

Ih - Corriente de mantenimiento, Se necesita que circule corriente por el anodo-catodo para que el SCR siga conduciendo, este es el valor minimo de corriente para que eso ocurra, entonces lo podes ver como el valor minimo que debe haber para que le SCR siga conduciendo, o el valor al cual la corriente por los terminales principales debe ser menor para que deje de conducir. Ya que el SCR no se puede apagar por el gate.

ITSM - Si no mal recuerdo es la maximo pico corriente en estado de ON, en media onda, como estan diseñados para red, vas a tener valores de 50/60Hz, medio ciclo serian 10ms y 8.33ms.

PG(av) - Maxima disipacion de potencia que puede soportar el gate, promediado en un ciclo y que puede ser disipado entre el gate y el catodo

PGM - Igual que lo anterior, pero nomas que esta ves es un pulso.

tgt - Es el tiempo entre un punto del pulso del gate hasta que pase a conducir el SCR. Leyendo veo que el tiempo se forma por 2 partes, un td (time delay), que es el tiempo desde el 50% del valor del pulso de gate al 10% que empieza a cambiar la salida, y un tr ( time rise) que es el tiempo en el que pasa de 90% al 10% la caida de tension en los bornes del SCR. Entonce el es tgt = td + tr , Y seria desde la aplicacion del gate 50% al 10% de la caida en la salida del SCR

tq - Cuando apagas el SCR se necesita un pequeño tiempo antes de recibir otra "onda entera", de esa forma no se auto-cebaria. Estan en el orden de los us ambos tiempos.

VDRM y VRRM - Los explique juntos con IDRM e IRRM

EDIT: Corregi la definicion de tgt y expandi I2t/Igt
« Última modificación: 30 de Noviembre de 2015, 07:49:50 por KILLERJC »

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Re:dudas datas de SCR ( generico)
« Respuesta #2 en: 30 de Noviembre de 2015, 00:49:24 »
Hola KILLERJC, perdona que te corrija algún punto:

di/dt - Es un valor a respetar y tenes que tener en cuenta que el SCR no puede soportar pasar de 0 a 40A istantaneamente, Entonces tenes que limitar la velocidad de crecimiento de la corriente a los valores maximos dados por el fabricante. No lo penses como derivada, sino como la variacion de la corriente en el tiempo, de 0A a 40A en 1s , seria 40-0 / 1 = 40 A/s, observa que las unidades estan dadas en microsegundos y no segundos como el ejemplo que di. Valores mayores destruirian al transistor

Esto nos indica el tiempo que tarda el SCR en "reaccionar" a determinada corriente, sabemos que los componentes no son ideales, por lo tanto para pasar de 0A a por ejemplo 40A le toma cierto tiempo, y esto es lo que nos indica este parámetro.

No es que nosotros debemos de limitar el incremento de corriente a esos tiempo, si no que es el propio SCR el que nos limita a incrementar la corriente a ese ritmo.

Por ejemplo si un SCR tiene una valor de 1A/useg, debemos tener en cuenta que para que circulen los 40A que deseamos al SCR le llevará un tiempo tal de 40 useg.

dv/dt - Este el calculo es similar al anterior, y se debe respetar. Pero en este caso significa otra cosa, lo podes ver de 2 formas, es la maxima variacion de voltaje por la cual el SCR no se va disparar solo, o como el limite por el cual a partir de alli, el SCR puede o se auto-cebaria, es decir se pondria en ON por si solo, sin pulso en el gate.

Igual al anterior, pero para la tensión

Un saludo.

Atte. CARLOS.

La teoría es cuando se sabe todo y nada funciona. La práctica es cuando todo funciona y nadie sabe por qué.

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Re:dudas datas de SCR ( generico)
« Respuesta #3 en: 30 de Noviembre de 2015, 06:41:18 »
Puse eso por que tengo un PDF de on-semi que dice:

di/dt:
Citar
The maximum rate of change of current the device will withstand after switching from an off−state to an on−state when using recommended gate drive. In other words, the maximum value of the rate of rise of on−state current which a Triac or SCR can withstand without damage.

dv/dt:

Citar
Also, commonly called static dv/dt. It is the minimum value of the rate of rise of forward voltage which will cause switching from the off−state to the on−state with gate open.

Tengo los libros de electronica de potencia que me dieron en la universidad y obviamente en español, realizados por un ingeniero que trabaja con electronica de potencia en la FAdeA, pero justamente afirman (dicen lo mismo que) lo que escribi antes. Es decir tengo 2 lados que me dicen lo mismo, por eso puse eso Chaly. No es para contradecirte, solo me base en lo que lei y los documentos que poseo.

Si fuera que el mismo TRIAC/SCR limita solo a esos valores, entonces nunca "dañaria" al TRIAC/SCR como dice el quote. Ya que jamas se superarian esos limites debido a que el mismo dispositivo lo limitaria ( especialmente el de di/dt ) el de dv/dt habla de otra cosa totalmente distinta a la di/dt. Donde se habla de autocebado y no de un limite que destruya el dispositivo. Tal ves puede aguantar mucho mas dv/dt pero la medida es por el autocebado. Otra cita del documento de ON Semi:


Citar
One of the most important is to respect the devices’ rated limits on rate of change of voltage and current (dv/dt and di/dt). If these are exceeded, the thyristor may be damaged or destroyed.

dejo el link al archivo de ON-Semi
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/HBD855-D.PDF
(Paginas 5 a 8 )

EDIT:

Agrego este link ademas de SEMIKRON
http://www.semikron.com/dl/service-support/downloads/download/semikron-application-manual-power-semiconductors-english-en-2015
(Paginas 26 y 27)

di/dt

Citar
Since the area fired initially is very small, the turn-on losses caused by the gradual decline of the on-state voltage to its static value VF are concentrated on a small area. This causes the silicon to heat up locally. In order to avoid damage to the thyristor, the rate of current rise must be limited to the maximum permissible critical rate of current rise (di/dt)cr.

dv/dt

Citar
Thyristor firing using capacitive displacement current (dv/dt firing)

Every pn-junction is a voltage-dependent capacitance. This capacitance will be biggest if no voltage is applied, and will drop as the blocking voltage applied is increased. Changes in voltage (high dv/dt) cause a capacitive displacement current to flow through the pn-junction. If this current is high enough, it can, like any other current through the p-base–emitter-junction, induce thyristor firing.

Lo bueno de este PDF, que al menos explica el por que o como ocurre.
Estuve leyendolo un poco mas, y esta muy bueno, no solo habla de SCR/TRIACs si no de IGBT/MOSFET tambien, sus protecciones, calculos de snubber, protecciones a tener en cuenta en los MOSFET/IGBT por ejemplo. Y muchas cosas mas, aunque todo de potencia

Lindo para ponerlo en el velador y hacer un dimmer:

« Última modificación: 30 de Noviembre de 2015, 08:18:04 por KILLERJC »

Desconectado Chaly29

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Re:dudas datas de SCR ( generico)
« Respuesta #4 en: 30 de Noviembre de 2015, 09:03:36 »
Hola KILLERJC, gracias por la explicación, pues entonces estaba confundido y tenía entendido otra cosa.

A no prestar atención a mi post anterior y perdonad la confusión.

Un saludo.

Atte. CARLOS.

La teoría es cuando se sabe todo y nada funciona. La práctica es cuando todo funciona y nadie sabe por qué.

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Re:dudas datas de SCR ( generico)
« Respuesta #5 en: 30 de Noviembre de 2015, 12:57:31 »
 :-/  huu. !!!! maestros !! ... :-/

gracias por tanto !! ya me estaba yendo y decidi entar , a la noche me hago un tecito y "disfruto" todo lo que me han compartido .

MUCHISIMAS GRACIASSSS !!!!!!!!

PD: a mi me matan las letras, que me confunden, como VTM  ( caida entre anodo y catodo...)
por que no ponen VKA ???
que es la T ??
y la M ???
me parece que los yankys le tienen bronca a los de habla ispana !!! :x

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Re:dudas datas de SCR ( generico)
« Respuesta #6 en: 30 de Noviembre de 2015, 19:15:08 »
Todas las letras tiene su significado, no estan a proposito.


IDRM = Corriente - Directa - Repetitiva - Maxima
IRRM = Corriente - Inversa (Reverse) - Repetitiva - Maxima
VTM = Imagino que es Voltage, Terminal , Maximun
VGT = Voltage - Gate - Treshold ( creo que seria mejor que Terminal )
IH = Corriente - Hold (Mantenimiento )

No es que estan por que si xD, seguro que mas de una me equivoque arriba pero me refiero que todas tienen un significado sus nombres

Vka no seria exactamente lo que se midio, ya que no tiene referencia a nada, solo dice de la caida de tension entre anodo y catodo, pero esto es variable por la tension de entrada / corriente
« Última modificación: 30 de Noviembre de 2015, 20:24:58 por KILLERJC »

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Re:dudas datas de SCR ( generico)
« Respuesta #7 en: 08 de Diciembre de 2015, 11:47:19 »
hola, ahora les vengo con una duda de SCR ( por eso la sigo aca ) pero es mas practica.

les explico , me puse a jugar un poco , haciendo pruebas, y saque un circuito de un cargador , aca pongo imagen :


* todopic 1.JPG
(15.36 kB, 657x346 - visto 737 veces)


bueno, el tema es que me puse a hacer pruebas, es el dibujo de la figura, es simple, mi primer duda es que las pruebas las hice  SIN  el diodo comun en gate.
( datos : trafo 13vca en vacio ..... Rg ?= 100 ohms .... scr de 6 amper ) 

y me paso algo , que me parecio raro :
medi la tension en la Rg y me daba lo que a mi parecer era al revez de lo esperado , una tension de 8v , pero positivo del lado de el gate , yo pense qu ela polaridad seria al revez, o sea mas +  de el lado de la fuente.
luego pense que podria ser debido a que solo deja pasar un pulso , y mido el otro , o sea cuando bloquea......

Luego, viendo un circuito de un cargador, vi que le ponian el diodo de la imagen, asi que le puse uno , no cambio mucho.
pero si algo  ya que sin el diodo la VRg= 8v
con el diodo la VRg = 12,3 v <( tester siempre en VCC)

lo que me importa :
para que esta ese diodo ?? sirve para algo ??
hay alguna cosa "inversa" que debo evitar ??

« Última modificación: 08 de Diciembre de 2015, 15:04:13 por Chaly29 »

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Re:dudas datas de SCR ( generico)
« Respuesta #8 en: 08 de Diciembre de 2015, 12:39:27 »
Tenes que darte cuenta que es alterna la corriente de salida de transformador. Por eso esta el diodo, basicamente lo que hace es conducir durante medio ciclo y el otro ciclo no por que el diodo evita que exista una corriente inversa en la compuerta (ademas el SCR no puede conducir hacia el otro lado tampoco en su parte de potencia, no como un TRIAC).

Lo que me parece raro es que a la bateria se este poniendo casi directamente. Pero bueno ese circuito no se de que es.

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Re:dudas datas de SCR ( generico)
« Respuesta #9 en: 08 de Diciembre de 2015, 13:00:03 »
hola, es que si se que es CA y solo trabaja un semiciclo.
pero como es un scr, pues calculo que solo se bloquea en el semiciclo inverso.
no le vi motivos .

aca busque el circuito equivalente, ( se que dentro cambia un poco ) , pero .........¿ sera para proteegerlo de inversas ??
como cuando pregunte de la VBE inversa de un transistor ??

busquee en la data :
http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheets/228/259953_DS.pdf

alguna VGT reverse, pero no encontre nada .
la VGT debe ser la directa, calculo yo .

que en esos transistores, calculo que tener VCE inversa no les hace nada ( que me da la dudaa ahora de todo  :? ).
solo se que tener una VBE inversa en un Transistor no es valido ya lo vimos en otro tema y esta en las datasheets.

adjunto pedazo de data, que se ve que tanto directa e inversa los T. comunes se la bancan..
es en VBE lo limitado .....segun entiendo .
 

 

« Última modificación: 08 de Diciembre de 2015, 13:43:58 por elñato »

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Re:dudas datas de SCR ( generico)
« Respuesta #10 en: 08 de Diciembre de 2015, 23:43:59 »
disculpen, no se si fui claro, pero me queda al duda de por que es necesario ese diodo .
yo conjeture  lo de proteger al gate de tensiones inversas , que termina siendo una juntura como una base emisor , pero no estoy seguro .

PD ; hice una serie de pruebas, y NO use ese diodo en el gate, y no paso nada.

un saludo y gracias

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Re:dudas datas de SCR ( generico)
« Respuesta #11 en: 09 de Diciembre de 2015, 00:14:13 »
El punto esta en que no debe haber una tension negativa "grande" en el gate.
El SCR suele aguantar mas tension de forma positiva en el gate que negativa.

Por ejemplo si observas el datasheet que pase al comienzo, tenes que el gate el maximo de voltaje para una tension de gate positiva es de 20V, y para una tension negativa es de 10V, debes asegurarte que eso NO pase de esos valores. Pero bueno, no se cual SCR estas usando, ni la salida de tension que tenes del transformador.


 

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