Autor Tema: Protección contra inversión de polaridad empleando MOSFETS [Solucionado)  (Leído 1665 veces)

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Desconectado RodrigoAndres

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hola de nuevo a todos, eh estado estos dias haciendo un circuito y lo voy a protejer por si conecto la fuente al reves para que no se me fundan los componentes ya que me costo mucho trabajo conseguirlos. estuve investigando y encontre este circuito con un MOSFET para proteccion de polaridad:



Lo que sucede es que ese MOSFET  no lo tengo, pero si tengo 2 MOSFETS 2N7000, estuve investigando y tambien sirven, el problema es que necesito 350 miliamperos y esos MOSFETS dan solo 200ma a la salida.

Entonces la pregunta es si puedo conectar 2 MOSFETS 2N7000 en paralelo para que me den mas corriente, de la siguiente forma:




por lo que investige, la resistencia en la compuerta de uno de los MOSFETS es necesario para evitar que se peleen entre si por la caida de voltaje que generara cada uno, la pregunta es como eligo el valor de esa resistencia?? estuve buscando y no encuentro nada, les agradesco mucho la ayuda
« Última modificación: 10 de Enero de 2017, 13:07:01 por RodrigoAndres »

Desconectado Chaly29

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Re:Protección contra inversión de polaridad empleando MOSFETS
« Respuesta #1 en: 08 de Enero de 2017, 01:05:51 »
Hola RodrigoAndres, los 2N7000 no te serán de utilidad ya que poseen una resistencia Rdon demasiado elevada, es del orden de los 7 ohms, por lo que 2 en paralelo sería como 3.5 ohms, eso sumado a que tu tienes 350mA de consumo, genera una disipación de potencia de 0.42W (no tanta) y una caída de tensión de 1.225V (demasiada).

Con lo anterior, si a tu circuito lo alimentaras con 5V el micro solo estaría recibiendo 3.775V. lo cual no creo que sea aceptable. Y mucho peor la situación si lo alimentaras solo con 3.3V

Por que en ves de complicarte tanto la vida, no usas simplemente un diodo del tipo 1N5819 o cualquier diodo schottky de 1A o más? Este diodo iría en serie con el circuito y en el polo positivo. Este tipo de diodo, con esa corriente solo te produciría una caída aproximada de 0.2V

Igual, lo del mosfet no es buena idea, ya que deberás de buscar uno que no posea diodo damper (el IRF540 si tiene diodo damper) ya que si no en inversa conduciría este diodo y no tiene sentido la aplicación, más allá de lo anterior, con una polarización en inversa podrías quemarlo y dejaría de cumplir la función en cuestión.

Básicamente y para resumir, el mosfet no es posible usarlo tal como deseas hacerlo. Y donde lo hallas leído, pues están muy mal informados. Y la resistencia que mencionas se coloca en el SOURCE del mosfet y en ambos mosfet. Esta resistencia se usa para equilibrarlos, y en tu caso tampoco es recomendable porque incrementarías aun más la caída de tensión.

Un saludo.

Atte. CARLOS.
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Desconectado RodrigoAndres

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Re:Protección contra inversión de polaridad empleando MOSFETS
« Respuesta #2 en: 08 de Enero de 2017, 13:54:18 »
muchas gracias por la respuesta. y aentiendo lo de la caida de voltaje de los MOSFETS. aun asi el IRF540 tiene una resistencia de 0.1 ohmios, me gustaria probarlo. esto lo encontre en una pagina de unos gringos y desian q el diodo damper era el que hacia que el mecanismo de proteccion funcionara, voy a tratar de comprar unos 4 porsi los llego a fundir para que me quede uno. le agradesco

Desconectado Chaly29

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Re:Protección contra inversión de polaridad empleando MOSFETS
« Respuesta #3 en: 08 de Enero de 2017, 20:25:35 »
Hola RodrigoAndres, vuelvo a repetirte lo mismo:

Citar
Básicamente y para resumir, el mosfet no es posible usarlo tal como deseas hacerlo. Y donde lo hallas leído, pues están muy mal informados.

Y precisamente el diodo es el que hace que esto no funcione, o tradujiste mal el texto, o el gringo no sabe nada

Mira este esquema:


* IRF540.PNG
(11.52 kB, 567x295 - visto 822 veces)


Ahí tienes el IRF540 con su diodo damper, y ahora analiza el circuito, más luego explícame en que mundo este circuito funcionaría para proteger de una inversión de polaridad.

Un saludo.

Atte. CARLOS.

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Desconectado uZYNQ

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Re:Protección contra inversión de polaridad empleando MOSFETS
« Respuesta #4 en: 09 de Enero de 2017, 08:52:41 »
 Saludos.
   Charly29, ese ultimo circuito no corresponde con el que indica RodrigoAndres en su primer mensaje. La orientación del Mosfet es al reves. El diodo damper se coloca en el sentido normal de la corriente. quizas confunde el hecho que el circuito de RodrigoAndres no coloca la carga pero si indica cual es la fuente. anexo un enlace que puede aclararlo.
 http://www.ti.com/lit/an/slva139/slva139.pdf

Desconectado KILLERJC

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Re:Protección contra inversión de polaridad empleando MOSFETS
« Respuesta #5 en: 09 de Enero de 2017, 12:06:30 »
Y aca integrados que usan el mismo concepto

http://www.ti.com/lit/ds/symlink/sm74611.pdf
http://www.linear.com/product/LTC4411

Como diodos inteligentes (smart), bajas perdidas ( low loss), diodo ideal (ideal diode) etc.

Lo que estaba por poner al principio es que ambos FET de los pequeños no le iban a servir, por lo que dijo Chaly y por que su maixmo estaba muy cerca de la potencia que debia manejar.
el IRF tiene 0.1ohms a 10V VGS, no se cuanto tendra a 5V. Por otra parte imagino que deberia ponerse como minimo una resistencia en el gate del MOSFET.

Desconectado Chaly29

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Re:Protección contra inversión de polaridad empleando MOSFETS
« Respuesta #6 en: 09 de Enero de 2017, 15:42:48 »
Hola gente, entiendo lo que explican, pero de esa manera la corriente circulante pro el mosfet sería inversa. Será eso posible?

Un saludo.

Atte. CARLOS.

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Desconectado KILLERJC

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Re:Protección contra inversión de polaridad empleando MOSFETS
« Respuesta #7 en: 09 de Enero de 2017, 15:50:56 »
Opino que si, porque a diferencia de un BJT que tenes junturas PN (sea NPN o PNP) que deben ser correctamente polarizadas, en un MOSFET lo que se hace es crear un canal, y lo importante estaria en la tension de Vgs que se cumpla para poder crear el mismo.

En una palabra, se comporta como una resistencia controlada por tension.

Edito: Aunque debo imaginar que los maximos y parametros dados en el datasheet no corresponden al usarlos de forma inversa. Por lo que puedo ver algunos micros le cambian la conexion del substrato ( el punto medio del MOSFET ), pero otros instegrados diseñados para hacer lo mismo con MOSFET externos, usan los MOSFET de 3 terminales. En resumen, mejor sobredimensionarlos para este caso.
« Última modificación: 09 de Enero de 2017, 17:00:46 por KILLERJC »

Desconectado RodrigoAndres

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Re:Protección contra inversión de polaridad empleando MOSFETS
« Respuesta #8 en: 10 de Enero de 2017, 13:06:35 »
gracias por esos consejos. entonces si es posible emplear un mosfet para proteger la polaridad de nuestros circuitos. tambien es importante que el mosfet este sobredimensionado para que no se vaya a dañar por operar con la corriente en inversa. hay que tener encuenta que el voltaje de la fuente sea lo suficientemente elevado para activar el mosfet totalmente y que su resistencia interna sea pequeña para ke no se caiga el voltage


 

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