Hola juaperser1, tu siempre con preguntas sencillas y sobre todo cortas de responder....
antes de nada esto:
Pero para los mosfet, no es tan simple, el uso de la resistencia de emisor (en este caso sería de SOURCE) no es posible, porque deberíamos calcular esta resistencia para una caída mínima de unos 3 a 5 volts y eso es mucha perdida de potencia.
¿no seria el drenador y no el source?
Bueno, el drenador no es, si hacemos analogía nos queda lo siguiente.
BASE -----------> GATE
COLECTOR ----> DRAIN
EMISOR --------> SOURCE
Para acordarme BCE = GDS comparo transistores de ambas tecnologías en un encapsulado TO220, por ejemplo un TIP31 y un IRF540.
Por lo tanto si la resistencia en un BJT es de EMISOR, en un MOSFET sería el SOURCE
mi pregunta:
La resistencia de emisor, corrígeme si me equivoco, nos servía para equilibrar la intensidad que circulaba por los bjt, osea que a este circuito le faltaría la regulación en intensidad, haciendo un promedio de la tensión que caen en las resistencias de todos los emisores, y mediante un AO en configuracion diferencial de ganancia 1 sabemos la intensidad que estamos ofreciendo a la carga, pero como conectaríamos ese control de intensidad al de tensión implementado en este circuito?
Claro, la principal función de esas resistencias es la de equilibrado o el balanceo (la terminología correcta es balanceo) de los transistores de salida, para que todos conduzcan aproximadamente la misma potencia/intensidad. Luego y para "ahorrar" se le pueden aplicar otras funciones, pero la principal función es la comentada anteriormente, esta función es la que las hace indispensable dentro de un circuito con más de un transistor en paralelo.
Si, de hecho, este circuito no posee ni regulación, ni protección por corriente/intensidad, pero nada impide que se le anexe estos extras, por supuesto debe de hacerse de manera adecuada. Hay varias formas de anexarle la protección y la regulación por corriente, algunas más simples, otras más complejas.
Como conectarlo? La forma mas sencilla es que el OA de corriente que ya comentas anteriormente comande un transistor que le "quite" corriente de base al BC548 que controla el GATE del MOSFET. Pero el AO no puede tener ganancia 1, debe de poseer ganancia en lazo abierto, o sea máxima, de lo contrario el control de corriente sería muy poco efectivo. Existen otras posibilidades, pero esta es la más sencilla. Y es por esto que e calculado en el circuito que e posteado, corriente para que tengan la posibilidad de funcionar ambos AO del LM358 (los 6mA por ahí mencionados), el segundo era para hacer la protección o control por corriente
O las resistencias del emisor tienen además otra función? Y esto es un controlador solo pensado para tensión.
En este circuito solo tienen la función de balanceo de carga de los transistores, única función por el momento.
Y si, este solo es un regulador de tensión, no tiene ninguna otra función extra, como ya te dije, ni siquiera tiene una mínima protección, o sea unes el + y el - de la salida y todo explota, o por lo menos los BJT y el MOSFET....
también, esto:
La otra opción es controlar electrónicamente la intensidad de corriente que circula por cada MOSFET que se encuentre en paralelo y actuar en consecuencia, este método es el más exacto, pero su complejidad, tanto de diseño como de construcción y puesta en marcha hacen que la fuente deje de ser "rentable" en su construcción.
solo por curiosidad y para aprender, y a grandes rasgos como se haria esto? es decir como controlamos electronicamente la intensidad de los mosfet, si no es bueno colocar un resistencia en el emisor (drenador) como shunt?
No confundas mis palabras, yo dije que no es bueno que las resistencia sean aplicadas en los valores necesarios para balancear como si fueran un BJT, esto es muy distinto a decir que no son buenas en absoluto.
En un BJT para balancearlos solo debes de producir una caída de tensión de unos 0.7V, pero para balancear un MOSFET esta caída de tensión debería de ser como mínimo de unos 4V, por lo que perderías 5.7 veces más de potencia en las resistencias y es por esto que digo que no es bueno.
Con BJT las resistencias de esta fuente de 3A perderían 0.7V x 3A = 2.1W, en la misma fuente, pero con MOSFET la potencia de las resistencias sería de 4V x 3A = 12W y esto es lo malo, más allá de la gran caída de tensión que también es malo.
Por lo tanto, las resistencias para balancear son necesarias, pero deben disipar una potencia mucho menor para que el circuito sea eficiente.
Como se hace un control electrónico de la intensidad de cada mosfet en paralelo?, pues hay varios métodos, pero básicamente se le aplica un shunt a cada SOURCE de los mosfet, un circuito controlador de corriente para cada SHUNT que a su ves controle el gate de cada mosfet. O sea aparte de la sección de regulación de tensión, hay una sección de regulación de corriente para cada mosfet y esta es la encargada de controlar la corriente que circula por cada uno y balancear los mismos.
es decir deberiamos colocarla entonces en el source, para que actue como shunt?, aunque por detras del shunt no deberia de haber nada.
En una fuente con mosfet el shunt puede ir en el DRAIN o en el SOURCE, es indistinto porque la intensidad de GATE de un mosfet podríamos decir que es inexistente, aunque lo "normal" es que se encuentre en el SOURCE. En una fuente con BJT ya no es tan sencillo su uso en el colector, porque poseemos en buena intensidad de base, que de no tenerla en cuenta será aplicada a la carga y no medida por el SHUNT, por lo tanto no tendremos una lectura "real" de la corriente aplicada a la carga, nuevamente lo normal es aplicarla al emisor de los transistores.
De aplicarla tanto al DRAIN como al COLECTOR de los transistores, hay que analizar muy bien la posibilidad de una posible realimentación positiva, lo que produciría una tendencia a la auto oscilación de la fuente, cosa que no sucede con la aplicación en el SOURCE o en el EMISOR..
Un saludo.
Atte. CARLOS.
