EL hoe es directamente un parámetro híbrido... fijate en la primer hoja del resumen que se titula conseptos previos y que viene de la materia aplicada 1....
Se plantea el BJT como un cuadripolo y se especifica un sistema de 2 ecuaciones, en este caso:
V1 = hie * I1 + hre * V2
I2 = hfe * I1 + hoe * V2
de esa forma dimensionalmente son diferentes, por eso son híbridos:
hie es una impedancia
hre es adimensional
hfe es adimensional
hoe es una admitancia
es en base a esto que se arma el circuito equivalente de un BJT...
siendo más específico y respondiendo a tu pregunta hoe es la admitancia de salida I2/V2 cuando I1=0 y eso se ve simplemente en la 2da ecuación al anular I1... y en el circuito se ve como una resistencia en la salida pero en derivación... el valor de resistencia es 1/hoe y dimensionalmente ohms...
De igual manera hie es V1/I1 cuando V2 = 0 es decir la impedancia de entrada con la salida en corto... en el circuito equivalente es una resistencia en serie...
Otra cosa es la hie de la ecuación hie = rbb' + rb'e
en el circuito está claro, fijate que b es el terminal de base del BJT y b' es la unión de base, es decir el semiconductor, sería más interna en el dispositivo, de este modo rbb' es la resistencia del terminal denominada resistencia difusora
mientras que rb'e como lo indica su nombre es la resistencia entre base y emisor "bien interna" sería el parámetro hibrido hie, pero como la idea es modelar un dispositivo real se incluye la resistencia difusora aunque normalmente es de valor despreciable, suele ser de entre 10 y 50 ohms y rb'e es (0.025*hfe)/Icq
Recapitulo... normalmente hie = rb'e aunque lo correcto es hie=rbb' + rb'e
