Hola dogflu66, ahora te entendí, por lo general, la tensión máxima recomendada para el gate de un mosfet es de 20V, pero la gran mayoría de las veces las tensiones reales usadas para el gate del mosfet están comprendidas entre los 12 y los 15V.
Tensiones inferiores a los 12V hacen que el mosfet presente una resistencia en ON bastante más elevada de la mínima posible y sin sentido alguno, produciendo perdidas innecesarias.
Tensiones mayores a los 15V se aproximan mucho al máximo recomendado y sin necesidad alguna, ya que no producen mejoras en la resistencia ON, pero si genera una mayor perdida en lo que respecta a la conmutación (carga y descarga) del gate, teniendo que sobre dimensionar mas de lo necesario el circuito driver.
Por lo tanto, la tensión que tu estás buscando es de 18V, normalmente se coloca un diodo zener de 1W en inversa, conectando cátodo al gate y ánodo al source (en mosfet canal N) y cátodo al source y ánodo al gate (en mosfet canal P). Este diodo zener de 18V 1W es más que suficiente protección para el gate de cualquier mosfet.
Pero atención!!! Hay mosfet que no permiten 20V de gate y por supuesto a estos hay que colocarles un zener de menor tensión. Pero desde ya te digo, que en la gran mayoría de las aplicaciones esta protección no es necesaria.
Un saludo.
Atte. CARLOS.
Pda, para los IGBT es el mismo caso.
