Hola elñato, trataré de responderte en base a lo que interpreto, con un esquema sería mucho más sencillo
un NPN que en su base tiene un C. electrolitico , y el emisor va a un divisor de tension.
claro, al dar recien energia el C. de la base esta a ceroV.
y el emisor quizas a 10 v .
eso me da una VBE de -10v (MENOS) 10V
Si es un NPN donde en su emisor tiene el divisor de tensión, el colector conectado a +V y en su base el condensador que mencionas, pues este transistor estaría conectado en una configuración de seguidor de emisor, le faltaría una resistencia desde la base a +V para quedar completamente polarizado, pero aún sin esa resistencia, pues en el emisor no debería de existir potencial, ya que la base no está polarizada y el transistor estaría al corte.
Al momento de polarizar la base (colocando la resistencia mencionada) el capacitor comenzaría a cargarse elevando su tensión y el emisor seguiría esa tendencia con una tensión tal que sería la tensión presente en la base menos 0.7V que es la tensión de polarización de base de ese transistor
Por lo tanto. Y repito, si el transistor está debidamente conectado, nunca su emisor presentaría un tensión superior a la de base.
y mirando en las datasheet algo que JAMAS le habia prestado atencion es que esa VBE INVERSA no debe superar los 5v
en general no tengo problemas, pero en alguna ocasino se me estropeo algun T. y comence a hilar finito.
ya corregi eso, para que nunca tenga mas de 4v de Vinversa.
No se como podría tenerlo, sería bueno que postearas un esquemático y poder ver si tienes un error de diseño o que aplicación estas queriendo diseñar.
PERO ME QUEDO UNA DUDA TEORICA:
que pasa si le meto una buena V. inversa a el diodo BE ?? ocurre como un DZ ??
lo que me importa saber mas que nada es lo siguiente:
si limito la corriente con una R , digamos una Rb se joroba la BE ??
si circula corriente inversa, pero la limito le pasa algo al T ?? o no ??
a un DZ no le pasa naranja, pero no se en estos casos, como la juntura de un T.
Un zener está diseñado para que a partir de cierta tensión (la tensión de zener) se produzca un "rompimiento" (por así desirlo) de su juntura NP, a partir de esta tensión de zener la juntura pasa de ser aislante a conductora y por lo tanto es como que se produce un cortocircuito controlado, te lo explico de esta manera para que sea sencillo de entender.
Si nosotros no controlamos la intensidad de ese corto circuito, pues quemamos el zener y al momento de que en la juntura NP se presente una tensión inferior a la de zener, pues el diodo vuele a pasar al estado "aislante" y deja de estar el "corto"
Esto lo hace porque así está diseñado y no le produce danos a su estructura. Pero un trasistor no está diseñado para esto, y la juntura BE en inversa solo soporta 5V en este caso, o sea que asta 5V la juntura BE se comporta como aislante, sobrepasando esa tensión corremos el riesgo de "pinchar" o destruir esa "aislación" y esta no se recuperaría ya que el daño es irreversible.
No tienes forma de limitar corriente colocando una resistencia, ya que hasta el momento exacto de pinchar la unión BE no circula corriente, ya que la unión se comporta como un condensador, luego de pinchada la unión si puedes limitar la corriente ya que pasa a ser un corto circuito, pero ya sería tarde porque el transistor ya está dañado.
Por todo lo anterior, la mejor forma de evitar daños a los componentes es un buen diseño. Si posteas el diseño que posees y comentas lo que quieres lograr, pues podremos ayudarte a mejorarlo si es posible o a proteger de manera adecuada al transistor. Pero desde ya te digo, y hablando solo por lo que interprete, tu posees un problema de diseño, que con todo gusto te ayudaré a mejorar.
Un saludo.
Atte. CARLOS.