EDIT: Lo siento leo, vos lo pediste
, ahora me puse un poco mas exquisito y con preguntas mas filosoficas
. En realidad tal ves termine pidiendo demasiado para algo que puede funcionar sin problemas como esta.
No tengo mucho para decir, tal ves quitar un poco de vias del lado izquierdo que el unico objetivo de las mismas es conducir calor y no corriente. Es mas podes ir reduciendo la cantidad de vias, es decir pegado al los conectores la mayor cantidad, entre medio de los MOSFET menos ya que seria la mitad de la corriente, y en el extremo izquierda menos todavia ya que no hay corriente y es por conduccion de temperatura.
Por lo demas tengo unas dudas que tal ves Chaly las pueda contestar mejor. En especial por estas:
El camino a los gates de los MOSFET son pequeños, lo cual entiendo por tener limitado por el tamaño de los componentes, y no es que salen de un punto para los 2, es decir hasta R4 por el camino pasa la corriente de Q1 y Q2, aumentando la caida de potencial en el momento que se le exija y afectando a Q2, no solo por la resistencia sino por la inductancia parasita, espero hacerme entender lo que quiero decir. Aunque no se hasta que punto aplicarlo por que esto no es para que este conmutando continuamente, sino una ves cada mucho tiempo. Pero si ocurre una caida de tension quiere decir que Q1 es quien conduciria mas rapido y por lo tanto tiene una mayor sobrecarga al inicio, a pesar que luego ambos terminen conduciendo por igual.
De la misma forma me encuentro con P2, imagino que P2 y P1 es para la llave, pero es curioso como P1 posee un camino muy grueso y luego P2 un caminito muy finito, que debe alimentar todo, y que la corriente por ahi sea muy "grande" en especial para cargar el triplicador de voltaje (que creo que es lo que mas consume) y que produzca una caida interesante, cuando se lo exija. Y nuevamente como en el caso anterior tal ves no se aplique por que no se pienza conmutar a una frecuencia sino una ves cada tanto.
Siguiendo el mismo tema. Por que ir hasta el integrado y de alli ir a la parte que mas consumiria que seria el triplicador? (nuevamente por que creo que es lo que mas consume ), me refiero al camino que sale de P2 -> pasa por R3 -> llega al integrado -> recien aca el triplicador, Por que no sacar directamente un camino desde P2 grueso para que el consumo no produzca una caida de tension que afecte al 555.
Tal ves estas son de "exquisito", o por demas "exigentes" pero son dudas que se me ocurrieron y que siempre veo en todos los consejos de routeado que se dan.
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Otra cosa que le estuve buscando la vuelta fue un mejor camino de VCC a C4, tal ves el plano de bottom extenderlo ( VCC ) por debajo de D1/D2/D3 usando alli vias para conectar C4. No me refiero a extenderlo en ese ancho, sino una franja de unos 5 cuadritos segun la imagen. Dejandote mejor camino de top y arriba de GND. Aunque es 1 via mas para soldar.
Siendo molesto pero mejor decirlo ahora que tarde:
Pienso que P1 a P4 ahora quedaron demasiado cerca de C4, y deberias bajarlo un poco que como conector lo mejor seria tener espacio y no estar apretado. Si son cables lo que van alli, no quisieras que un hilito pueda tocar C4, Y si es un conector quisieras tener espacio para poder manejarlo.
Mover las vias un poco para que donde apoye los MOSFET al momento de meterlo al horno, el estaño no se quiera ir por alli, o que al menos exista una separacion con mascara antisoldante entre la via y el plano a soldar. Aunque se que luego tenes que soldar via por via.
Una mas que se me ocurrio, Si vas a soldar cables, ¿por que no usar el mismo cable como una via gigante para compartir la corriente entre ambas caras? Pienso que eso te ahorraria muchas vias, tanto de GND como las de VCC, como por ejemplo todas las vias que se encuentre a la izquierda de la bornera ( VCC ) y las vias de GND que se encuentran a la derecha y arriba. Yo es para ahorrarte laburo a vos, ademas deberia ser mas barato si es que lo mandas a hacer por la menor cantidad de vias, aunque se que lo vas a hacer vos mismo
Y finalmente:
Como pensas agarrarla ? O va suelta ? Por que no vi ningun agujero como para fijarla a algun lado. Y a veces se me pasa de largo
Ahora si para Chaly a no ser que Leo tambien la sepa, Con el circuito posteado , el MOSFET estaria conduciendo en 68ns, me refiero al estado en que ya Vds es minima no es asi? tendriamos 15V aplicadas a las resistencias de 22ohms + 1.3ohm de resistencia serie de gate del dispositivo, lo cual da una corriente de 643mA, con una Carga de gate total de 44nC eso es igual a 44nC/643mA = 68ns
Estoy en lo correcto ?
