Autor Tema: Diseñando un Puente H con Mosfet N  (Leído 15280 veces)

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Desconectado Chaly29

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Re:Diseñando un Puente H con Mosfet N
« Respuesta #45 en: 16 de Julio de 2017, 11:56:35 »
Hola Arsenic, depende de la potencia de los mosfet que uses y del motor que desees controlar. Si el motor es relativamente chico y los mosfet son bien sobre dimensionados, pues no es necesario, ahora si los mosfet van medio "apretados" con el motor a usar, si es recomendable el uso de diodos externos.

Un saludo.

Atte. CARLOS.

La teoría es cuando se sabe todo y nada funciona. La práctica es cuando todo funciona y nadie sabe por qué.

Desconectado Ledo

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Re:Diseñando un Puente H con Mosfet N
« Respuesta #46 en: 17 de Julio de 2017, 18:41:00 »
Para que complicarse la vida ?
existe el CI IR2110 y muchos más muy baratos.

5V no son suficiente para controlar la mayoría de los Mosfet. Con más de 10A  se te quedará en la zona activa y arderá

28V en el Gate terminará perforando el circuito Gate-Source. Mucho más a frecuencias de varios kHz, donde tienes que sumar
las oscilaciones (Ringing) de la señal, y alfinal tendrás más de 30V de pico

Saludos,
Ledo
http://www.ledoelectronics.com

Desconectado Chaly29

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Re:Diseñando un Puente H con Mosfet N
« Respuesta #47 en: 18 de Julio de 2017, 13:10:22 »
Hola Ledo, no siempre es factible el uso de los driver para mosfet, uno de sus problemas en que no puede permanecer indefinidamente en posición ON el mosfet del ramal "alto" del puente H, otro es que para vos es económico y fácil de conseguir, estando en España, pero en América del sur no siempre es así.

Por otro lado, hay ocasiones que uno se decanta por lo seguro y robusto y no por lo tecnológico.

Un saludo.

Atte. CARLOS.

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Desconectado Ledo

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Re:Diseñando un Puente H con Mosfet N
« Respuesta #48 en: 19 de Julio de 2017, 09:30:36 »
Carlos,
Lo único razonable en tu comentario es que no puedas conseguir los chips.
Ah, y nunca necesitas conectar diodos en paralelos a un mosfet, a no ser que quieras trabajar por encima
de 100 kHz, ya que su único problema es que son un poco lento.

saludos,
Ledo

Desconectado Chaly29

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Re:Diseñando un Puente H con Mosfet N
« Respuesta #49 en: 19 de Julio de 2017, 09:59:46 »
Hola Ledo, o sea que tu me dices que el IR2110 puede mantener indefinidamente el ramal HIGH en ON sin ningún tipo de problemas?

El diodo en paralelo no se usa para reducir la disipación térmica y la corriente sobre el propio mosfet? Más allá de tal como lo comentas, los diodos internos son lentos.

Un saludo.

Atte. CARLOS.

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Desconectado Kid_Bengala

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Re:Diseñando un Puente H con Mosfet N
« Respuesta #50 en: 19 de Julio de 2017, 13:49:29 »
Hola

Perdon que me intrometa  :P. Aunqu nunca aporte mucho al foro, si os suelo leer "en la sombra" para ver si aprendo algo, aunque el 95% de las cosas se me suele escapar  :oops:. Pero una duda que me ha parecido curiosa, Charly ¿por que el IRF3205 solo se pueden conectar 3 en paralelo? Pregunto desde la ignorancia, ya que no se si es alguna caracteristica de los mosfet, de este en concreto o alguna ley fisica de la electronica. Gracias

Saludos

Conectado KILLERJC

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Re:Diseñando un Puente H con Mosfet N
« Respuesta #51 en: 19 de Julio de 2017, 14:24:21 »
Imagino que el se refirio a que con ese circuito driver solo 3 pueden ser conectados en paralelo, recorda que un MOSFET es como un capacitor que debes cargar, por lo cual no es tension lo que uno le da sino lo que intenta darle es corriente para acumular carga y que empiece a conducir.

Pensandolo como si fuera un capacitor, si tu driver solo puede dar un valor de corriente fijo. Y vos aumentas la capacidad, quiere decir que mas tiempo  vas a necesitar para que el MOSFET pase a estado de ON, los MOSFET tienen la caracteristica que la mayoria de la potencia disipada se encuentra en el proceso de conmutacion, mientras que cuando conduce la potencia (perdida en calor) del mismo es muy poca. En resumen estarias haciendolo sufrir mas al MOSFET por culpa de esto.

Desconectado Ledo

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Re:Diseñando un Puente H con Mosfet N
« Respuesta #52 en: 19 de Julio de 2017, 17:22:47 »
Carlos,

No. El IR2110 pertenece a la familia de drivers sincrónicos, que necesitan de los
pulsos de entrada para generar el voltaje del driver de la parte alta.
Se pueden usar en continuo, si le añades una fuente aislada (solución cara)
o implementar un charge pump sencillo con un timer 555 como aparece en la pág. de aplicación
de International Rectifier.
Hay por lo menos medio centenar de drivers independientes (a partir de medio dolar), que pueden
funcionar en continuo.

Conectar diodos en paralelo a los Mosfets, para disminuir pérdidas de potencia, a baja frecuencia
tiene poco sentido. Sobre todo en un puente H, donde ellos conducen muy poco tiempo.

Se usan a alta frecuencia, para eliminar las pérdidas en conmutación, ya que el diodo parásito de cada
Mosfet tiene  un tiempo de recuperación entre 150 y 1000 ns dependiendo del modelo.
En cualquier caso, se deben usar Schottky, para garantizar anular el diodo parásito, o añadir un segundo diodo
en el Drain del Mosfet (ver single universal Mosfet / Igbt Switch en Inverters de http://www.ledoelectronics.com)
El uso de dos diodos disminuye las pérdidas en conmutación, pero aumenta las pérdidas en conducción.

Desconectado Picuino

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Re:Diseñando un Puente H con Mosfet N
« Respuesta #53 en: 20 de Julio de 2017, 10:10:12 »
El problema con los diodos lentos consiste en que tardan mucho tiempo en dejar de conducir. Durante una transición rápida, el mosfet contrario comienza a conducir y rápidamente aumenta mucho la corriente mientras el diodo contrario todavía no ha entrado en corte. El resultado es un cortocircuito. El límite estará en la corriente que conduzca el mosfet activado, decenas de veces mayor a su corriente máxima en continuo y las pequeñas inductancias parásitas.

Como esto solo dura unos nanosegundos, los componentes no se queman, pero sufren un estrés importante y se producen picos de tensión asociados que también sobrecargan.

No es recomendable que esos diodos conduzcan y si lo hacen, conviene diseñar transiciones lentas y poner una velita a San Joule para que no se queme nada ;-)

Un saludo.

Desconectado Ledo

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Re:Diseñando un Puente H con Mosfet N
« Respuesta #54 en: 20 de Julio de 2017, 14:44:54 »
Yo, como no soy creyente, dejo tiempos muertos en todos mis diseños

saludos,
Ledo

Desconectado Picuino

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Re:Diseñando un Puente H con Mosfet N
« Respuesta #55 en: 20 de Julio de 2017, 19:29:16 »
Joule es la medida de energía.

Los tiempos muertos en este problema no sirven de nada. El cortocircuito no se produce entre transistores, se produce entre transistor y diodo.

También depende de la forma de conmutar, porque el diodo no conduce si su transistor está activo.

Desconectado Ledo

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Re:Diseñando un Puente H con Mosfet N
« Respuesta #56 en: 21 de Julio de 2017, 03:48:39 »
Puente H con carga RL alimentado desde fuente de voltaje E

Mosfets del brazo izquierdo: Q1 y Q2
Mosfets del brazo derecho: Q3 y Q4
D1,D2,D3,D4: diodos correspondiente a cada transistor


1. Conducen Q1 y Q4

2. Tiempo muerto. Conducen D2 y D3 a través de la fuente
de alimentación.

3.D1 y D4 están bloqueados. Entran a conducir Q3 y Q2.

4.Tiempo muerto. Conducen D1 y D4 a través de la fuente.

5.D2 y D3 están bloqueados. Entran a conducir Q1 y Q2.

etc, etc, etc.

Eso en conmutación simple. Si se usa PWM, tampoco hay problemas.

Luego, donde está el cortocircuito?. Yo no lo veo

Desconectado Picuino

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Re:Diseñando un Puente H con Mosfet N
« Respuesta #57 en: 21 de Julio de 2017, 17:50:05 »
En ese esquema de conmutación los transistores conducen la corriente de los diodos y les "apagan", por lo que no se produce el efecto "cortocircuito" que comenté.

En este caso el problema con los diodos lentos consiste en que tardan en comenzar a conducir y se pueden producir sobretensiones momentáneas.
Para evitar ese efecto no deseado es mejor poner en paralelo a los mosfet diodos rápidos, snubber y/o sobredimensionar la tensión máxima de los mosfet.
Al final lo mejor es poner diodos rápidos en paralelo a los mosfet. Es el mejor diseño y el más caro. Eso no significa que no funcione sin diodos rápidos. También funciona, pero peor.

Saludos.
« Última modificación: 21 de Julio de 2017, 17:52:40 por Picuino »

Desconectado Ledo

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Re:Diseñando un Puente H con Mosfet N
« Respuesta #58 en: 21 de Julio de 2017, 18:41:36 »
Sí, pero en ningún caso hay cortocircuito así que no hay que poner velas a nadie. Tampoco con los diodos rápidos.

Los diodos rápidos tampoco son ideales. Ellos suelen tardar entre 30 y 60 nS en recuperarse.

Incluso los más caros de SiC, comercialmente llamados sin tiempo de recuperación, necesitan algún tiempo mayor que cero.

Las Snubbers, como comentas, son una solución. En mi web pueden encontrar una calculadora javaScript para el cálculo de sus

componentes.

Saludos,

Ledo

Conectado KILLERJC

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Re:Diseñando un Puente H con Mosfet N
« Respuesta #59 en: 21 de Julio de 2017, 20:01:44 »
Citar
Las Snubbers, como comentas, son una solución.

Para el apagado, pero en el encendido agrega un poco mas de corriente sobre el transistor.

Lo que siempre vi pero nunca probe es el "active clamping"


 

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