Hola planeta9999, la principal desventaja es que siempre que tengas una tensión más alejada del "Gate Threshold Voltage" obtendrás una menor resistencia Rds.
Por ejemplo, con el IRF540 si miramos el datasheet nos dice que el Gate Threshold Voltage es de 3V y que la Rds es de 0.05 ohms, pero si vamos a la práctica, no conseguiremos una Rds considerablemente baja hasta no superar los 6.5 o 7 volts.
Que significa esto, que podemos conmutar el IRF540 directo con un PIC, pero disiparía mucha más de la potencia esperada, con la consiguiente perdida de potencia, disipadores extras, etc.
El datasheet, si no sabemos leerlo, nos engañará, por ejemplo, para el IRF3205 (uso este porque justo tengo uno para las pruebas) de International Rectifier, los datos son los siguientes:
Nosotros vemos estos datos:
Gate Threshold Voltage = entre 2 y 4 Volts
Rds = 0.008 ohms
El gran error está en no ver los datos de la columna Conditions.
Por lo tanto: Si!! Tenemos una Gate Threshold Voltage de 2V a 4V, pero con solo 250 uA de drain.
Y si!! Tenemos una Rds de 0.008 ohms, pero con una tensión de gate de 10V
El siguiente circuito es un clásico para la prueba de MOSFET:
Test.png(0.58 kB, 188x238 - visto 2498 veces)En este caso usaremos el IRF3205, pero sirve para cualquier mosfet.
Para saber el mínimo Gate Threshold Voltage necesario para disparar un mosfet de manera medianamente adecuada se hace lo siguiente:
Con el circuito anterior (mosfet montado en buen disipador), y sabiendo la tensión de la fuente de alimentación, se calcula R1 para que por la misma circule una corriente igual al de la carga a controlar. La resistencia puede ser eliminada si usamos una fuente que posea control de corriente programable, de hecho, la prueba real se realiza con una fuente de corriente constante. Y con esta fuente es que yo hago la prueba de a continuación.
Para el ejemplo uso un IRF3205 y la corriente de la carga será de 5A.
Con el circuito anterior, eliminando la resistencia porque en mi caso no es necesaria, obtenemos entre el punto "A" y masa, una tensión de gate de 4.6V. Que significa esto?
Que con una carga de 5A y usando una tensión de gate de 4.6V tenemos una resistencia Rds de:
4.6 / 5 = 0.92 ohms Estos 0.92 ohms serán siempre igual mientras la tensión de gate sea de 4.6V
El mismo mosfet, para una corriente de 1A posee una tensión de 4.0 y una resistencia de:
4 / 1 = 4 ohms
Como ves, podemos usar los 5V del PIC para conmutar el mosfet, pero este poseerá una RDS no acorde con lo leído en el datasheet si no sabemos como leer el mismo.
Por supuesto hay mosfet más adaptados que el IRF3205 para un logic level, o sea que a 5V tendrán una Rds inferior que este, pero siempre tendrán el mismo problema: cuanto más baja la tensión del gate, una mayor Rds.
Por lo tanto y por todo lo dicho es que yo siempre recomiendo una tensión de gate no menor a los 10V, siendo lo ideal entre los 12 y los 15V.
Espero Haber sido claro, cualquier cosa me preguntas.
Un saludo.
Atte. CARLOS.
