Entre la simulación y el circuito real veo tres diferencias:
- La Hfe del transistor Q2 (BD201) es de 30, y en el montaje real es un darlington que anda sobre 1000.
- El operacional que usé es un TLC272 de tipo FET, y en la simulación es un LM358 de tipo bipolar.
- La reisitencia R9 de la simulación, en real es de 2k2; y R10 de la simulación, en real no está puesta (bueno, la tiene internamente el transistor).
No sé si esas diferencias afectan mucho.
Saludos!!!