PROYECTO:FUENTE DE ALIMENTACION

[Chaly29]

Hola KILLERJC, de seguro en la teoría tu me superas con creces por lo tanto, gracias por la corrección, o sea que siempre me an explicado esa gráfica de mál manera  y como no sirve para nada, pues tampoco es que le e dado mucho caso

Y por lo que acabo de leer parece que juaperser1 también le sobra teoría, OK. Entonces ustedes corregidme si ven algo mal, yo trato de "meter" la menor teoría posible para que sea más sencillo al aficionado, pero hay cosas que la deben tener para poder entenderlas y la teoría pura y dura no es mi mayor fuerte.

Un saludo y gracias por la acertada corrección.

Atte. CARLOS.

[juaperser1]

 Durante la zona de saturacion esta ecuacion no se respeta y se comporta de una forma que Ic < Ib * beta  ( ya que al incrementar la corriente no hay forma que la Ic siga creciendo)
Y la de corte obviamente cuando no es posible ni siquiera polarizar el transistor.
Lo que explicaste vos... nomas que para mi la imagen esta mal, incluso te das cuenta por que segun como esta señalado en saturacion la tension Vce cae, y en ese punto es imposible, lo unico que puede decirse de lineal/no lineal de ese grafico seria una resistencia equivalente que ofrece el transistor, es decir su pendiente Vce/Ic

Cuidado con eso, saturación no es solo la zona marcada hay si no tambien toda la recta vertical x=0 por lo tanto en saturación no es que ic no aumente con ib, es que en saturación si no tienes algo que la frene como una resistencia, la intensidad es infinita y el transistor se destruye, como se ve en la gráfica Vce=0 y Ic es infinita,

Y tambien se vigila en zona lineal para no dañarlo que la potencia que ofrece el transistor es el área que existe del rectángulo que esta bajo el punto de trabajo cuyos lados son Vce y Ic por lo tanto y lógicamente PotenciaT=Ic*Vce

Un saludo

[KILLERJC]

Si juaperser me exprese mal con respecto a "no hay forma que la Ic siga creciendo" quise decir otra cosa y termine escribiendo eso.
Con respecto a la potencia obviamente todos tienen sus limites, esa grafica es demasiado simplista, faltan muchas cosas mas. Entre las cuales estan las curvas maxima de potencia que nombras y esta limitado por Ic / Vce / potencia / ruptura secundaria (para transistores de mayor potencia, ya que los de menor potencia no lo incluyen y consta de 3 curvas/rectas nomas), conocidos como FBSOA y RBSOA ( encendido y apagado ). Ademas no se tienen en cuenta las rectas de un Ib fijo tengan una pendiente y no sean paralelas al eje x

Es imposible que la recta de x=0 sea parte de la "saturacion", al menos mi entender y mi razonamiento, no es por darte la contra sino por un razonamiento logico, uno por que la union PN tiene una resistencia por lo cual vas a tener tenes una pendiente, la otra esta implicando que en saturacion la tension Vce es 0 lo cual es imposible de llegar, Basicamente la grafica iria por lo que en la imagen de chaly dice lineal, si seguis aumentando Ib llegas a un punto en que Ic es demasiado grande para que pueda soportarlo el transistor y chau transistor xD. Con lo que a pesar que se llama zona de "saturacion" solo pasa por esos puntos de la curva y no por donde no hay grafica por asi decirlo, espero que me de a entender con lo que quise decir. Hber pongo otro ejemplo para que se me entienda, la Vce a 2 Ic disintas en saturacion son distintas, usando mi grafica, La Vce a ic=70mA esta cerca de 1.7V y la Vce a ic=40mA es de 1V , pero jamas 0.

Entonces lo que quería hacer era una función matemática de cuanta intensidad de base les roban los transistores T8 y T7 a la base de T2, pero me he dado cuenta de que hacer esto es para nada, por que aquí es donde vienen las cuentas que no son lineales ya que para una corriente máxima de 3,18A los transistores T8 y T7 estarán entrando y saliendo de la zona lineal a la de corte sucesivamente mientras estén regulando y provocará que esa intensidad robada vaya dando saltitos por asi decirlo

Ahi te estas equivocando, no hay saltitos Al menos no apreciables.
Hay momentos en que obviamente debe estar en corte por que no hay suficiente corriente/tension. Pero eso a vos no te complica en nada. ya que justamente estos deben actuar como proteccion, es decir Tu punto de interes se encuentra cuando por ahi pasen 2.5+ amperes por ejemplo, y la corriente que tome es minima. Mientras esta en su region lineal (actuando la proteccion y que es por lo que esta alli):
Es una realimentacion negativa, Crece la corriente por la R de sensado "activa" T8 o T9 (ya explico lo de activa) este toma un poco de corriente de base y disminuye la corriente en ambos transitores de potencia. eso se traduce en que tome menos corriente y se llegue a un equilibrio, lo que voy con "activa" es que el transistor esta siempre activo, lo que pasa es ante un exceso de corriente, este va a consumir mas corriente de base produciedo el efecto contrario. y mientras menos corriente de snsado exista menos corriente va a tomar de base. Esto llega a un equilibrio por supuesto. El paso del corte a la region linea es suave, no es abrupta, y se va a ajustar a lo que se necesite

PD: volviendo al primer tema si te fijas no hay resistencia limitadora de base y no se quema xD, la resistencia de 0.22 ohms a una corriente de 2.5 ofrece unos 0.55V suficiente como para que apenas quiera entrar en conduccion o este cerca segun la curva de un diodo ( union PN) esto te fija el limite.. si por ejemplo decis o sabes que Vbe minimo es de 0.65V entonces tu proteccion deberia actuar para 3A o mas, aunque mirando el datasheet en la curva de "Ic vs Vbe" a 25ºC una Vbe de 0.55 estaria quitando ya 0.1mA , si aumentara la tension obviamente mas corriente, si aumentara la temperatura mas corriente fluiria. Es decir conduce a pesar que no supere los 0.7v que nosotros utilizamos normalmente en los calculos, y la liea sigue.. existe una corriente siempre, lo que pasa es que es muy pequeña y nosotros en lso calculos idealizamos como 0.



Mi planteamiento sobre la proetccion
Lo que si yo no se si es mejor en la proteccion tomar la corriente de ambos o que cada uno haga su propia proteccion de cada transistor, ambos tienen que ser sensado por si existe alguna disparidad de corriente entre ambos, pero de tener problemas con uno estarias tambien afectando al otro transistor.
Ejemplo un transistor tiene un poco mas (un poxo exagerado) de ganancia, por lo que uno pasan 2.5A y en el otro 2A, comienza a actuar la proteccion y termina en que pasaria 2A y 1.5A con su consecuente caida de tension por la proteccion foldback.
Ahora si fuera individual sola uno seguiria conduciendo los 2A y el otro bajaria a su punto de equilibrio de 2A supongamos. Y no modifica la corriente del otro transistor . Lo que si esto requiere mucha mas corriente a tomar ya que la polarizacion se ve incrementada por el darlingtong y tal ves los BC547 queden pequeños. y tambien veo que va a existir un foldback pero va a ser menor a mi entender.

Esto solo lo pensaba sobre que se podia hacer y por que estaba realizado de esa forma, nada mas. Y fue como para sacarme una duda y por eso lo plantee. Ustedes me diran sus opiniones y si se me escapa algo.

Hola KILLERJC, de seguro en la teoría tu me superas con creces por lo tanto, gracias por la corrección, o sea que siempre me an explicado esa gráfica de mál manera   y como no sirve para nada, pues tampoco es que le e dado mucho caso

Yo opino que si sirve.. el tema es que por ahi no estamos hablando de amplificacion y tratar de tener la menor distorsion posible,  como explicarlo, actualmente es de 0 a un valor la regulacion, por lo cual ahi si no lo veo TAN util pero igual imagino que influye, si podria serlo por ejemplo en la fuente de corriente que este debe respetar un valor Vce en el que se mantiene constante. ahora eso implica una corriente minima/maxima que le podria ir a los demas transitores y que fijaria su punto Q de tal forma que no lleguen a corte ni satuacion.por lo cual deberia cumplirse que puedan quedar en la zona lineal o activa, sino saturarian y no avanzarian mas, por eso mismo te aseguras con el darlington que pueda proveer muchisima mas corriente de lo que necesita el transitor de potencia. Espero que se me entienda lo que quiero decir.

Distinto seria una señal de alterna a amplificar, donde del punto Q es el centro de la señal y la señal montada se mueve de un lado a otro sobre la recta de carga, y su no lo pones bien el medio de la grafica, en una punta vas a tener una distorsion. Me refiero a distorsion a un recorte de la señal.

[juaperser1]

Es imposible que la recta de x=0 sea parte de la "saturacion", al menos mi entender y mi razonamiento, no es por darte la contra sino por un razonamiento logico, uno por que la union PN tiene una resistencia por lo cual vas a tener tenes una pendiente, la otra esta implicando que en saturacion la tension Vce es 0 lo cual es imposible de llegar, Basicamente la grafica iria por lo que en la imagen de chaly dice lineal, si seguis aumentando Ib llegas a un punto en que Ic es demasiado grande para que pueda soportarlo el transistor y chau transistor xD. Con lo que a pesar que se llama zona de "saturacion" solo pasa por esos puntos de la curva y no por donde no hay grafica por asi decirlo, espero que me de a entender con lo que quise decir.

Citar
Entonces lo que quería hacer era una función matemática de cuanta intensidad de base les roban los transistores T8 y T7 a la base de T2, pero me he dado cuenta de que hacer esto es para nada, por que aquí es donde vienen las cuentas que no son lineales ya que para una corriente máxima de 3,18A los transistores T8 y T7 estarán entrando y saliendo de la zona lineal a la de corte sucesivamente mientras estén regulando y provocará que esa intensidad robada vaya dando saltitos por asi decirlo

Ahi te estas equivocando, no hay saltitos Al menos no apreciables.
Hay momentos en que obviamente debe estar en corte por que no hay suficiente corriente/tension. Pero eso a vos no te complica en nada. ya que justamente estos deben actuar como proteccion, es decir Tu punto de interes se encuentra cuando por ahi pasen 2.5+ amperes por ejemplo, y la corriente que tome es minima. Mientras esta en su region lineal (actuando la proteccion y que es por lo que esta alli):
Es una realimentacion negativa, Crece la corriente por la R de sensado "activa" T8 o T9 (ya explico lo de activa) este toma un poco de corriente de base y disminuye la corriente en ambos transitores de potencia. eso se traduce en que tome menos corriente y se llegue a un equilibrio, lo que voy con "activa" es que el transistor esta siempre activo, lo que pasa es ante un exceso de corriente, este va a consumir mas corriente de base produciedo el efecto contrario. y mientras menos corriente de snsado exista menos corriente va a tomar de base. Esto llega a un equilibrio por supuesto. El paso del corte a la region linea es suave, no es abrupta, y se va a ajustar a lo que se necesite

KILLER no se  si no has entendido bien mi mensaje, ya que estas repitiendo lo mismo que yo, en las ecuaciones mas simplistas de los transistores Vce= 0 para la saturacion por lo tanto la recta X=0 si que es parte de la saturacion, al igual que para Y=0 es parte de la de corte, obviamente esto no es asi ya que por el colector siempre circulara una intesidad minima y nunca podra ser Y = 0 al igual que siempre hay una caida en Vce y nunca estara X=0.

si tomamos los calculo aproximados diciendo que despues de 0,7 voltios el transistor entra a activa ( o lineal) saliendo de corte, si son ecuaciones no lineales y la intensidad va a saltos ya que habria que hacer los calculos en dos regiones diferentes y por lo tanto no hay linealidad, obviamente esto no es asi y las ecuaciones simples no sirven, por eso puse esto:

obviamente eso alcanza el punto de control de regulación, si no esta fuente iria dando saltos, pero matemáticamente es difícil de hacer por que en la realidad la intensidad no desaparece infinitamente rapido al pasar a corte, pero claro hay que tomar un modelo de transistor real, ya no sirven las cuentas estandar para resolver transistores, seria un análisis muy profundo e innecesario. por lo tanto ayer dandole vueltas me respondí yo solo.

Juanjo estas haciendo el tonto, déjalo ya de intentar calcular eso lol lol

como ves es lo mismo que tu has vuelto a poner, la intensidad no puede ir dando saltitos por eso no se puede hacer el analisis con las ecuaciones simples, no se por que pones que me estoy equivocando con los mismos argumentos que yo.

o que voy con "activa" es que el transistor esta siempre activo

los transistores T7 y T8 no esta siempre en activa, el transistor solo saldrá de la zona de corte cuando se polarice por una intensidad que pase por R48 y R47 mientras tanto no actuara la protección, ya sea por la temperatura o por lo que sea 0,65 o 0,55 0 lo que sea pero no estará siempre en activa.

PD: volviendo al primer tema si te fijas no hay resistencia limitadora de base y no se quema xD

si te refieres a T8 y T7 claro que no se queman por que en cuanto se polariza ser reduce la intensidad de base de T2, es imposible que se queme.

si te refieres a T2 es normal que no se queme por que chaly se ha asegurado que no circulen mas de 2,27 mA por hay y eso no es suficiente para quemarlo

Ejemplo un transistor tiene un poco mas (un poxo exagerado) de ganancia, por lo que uno pasan 2.5A y en el otro 2A, comienza a actuar la proteccion y termina en que pasaria 2A y 1.5A con su consecuente caida de tension por la proteccion foldback.
Ahora si fuera individual sola uno seguiria conduciendo los 2A y el otro bajaria a su punto de equilibrio de 2A supongamos. Y no modifica la corriente del otro transistor. Lo que si esto requiere mucha mas corriente a tomar ya que la polarizacion se ve incrementada por el darlingtong y tal ves los BC547 queden pequeños.

esto lo explico chaly aqui:

Dichas resistencia son usadas para el "balanceo" de los transistores de potencia, como los transistores no son iguales, pues el que posea una tensión de polarización base/emisor menor entrará en conducción, circulando por el casi la totalidad de la corriente y por el compañero muy poco o casi nada, entonces dichas resistencia, al entrar primero una en conducción, eleva la tensión base/emisor de dicho transistor permitiendo alcanzar la tensión del compañero y casi de manera unísona entran en conducción ambos, y teniendo los mismos una corriente si no iguales, muy similares disipando ambos casi la misma potencia.

un saludo

[KILLERJC]

Entonces te entendi mal jauperser

Ejemplo un transistor tiene un poco mas (un poxo exagerado) de ganancia, por lo que uno pasan 2.5A y en el otro 2A, comienza a actuar la proteccion y termina en que pasaria 2A y 1.5A con su consecuente caida de tension por la proteccion foldback.
Ahora si fuera individual sola uno seguiria conduciendo los 2A y el otro bajaria a su punto de equilibrio de 2A supongamos. Y no modifica la corriente del otro transistor. Lo que si esto requiere mucha mas corriente a tomar ya que la polarizacion se ve incrementada por el darlingtong y tal ves los BC547 queden pequeños.

esto lo explico chaly aqui:

Dichas resistencia son usadas para el "balanceo" de los transistores de potencia, como los transistores no son iguales, pues el que posea una tensión de polarización base/emisor menor entrará en conducción, circulando por el casi la totalidad de la corriente y por el compañero muy poco o casi nada, entonces dichas resistencia, al entrar primero una en conducción, eleva la tensión base/emisor de dicho transistor permitiendo alcanzar la tensión del compañero y casi de manera unísona entran en conducción ambos, y teniendo los mismos una corriente si no iguales, muy similares disipando ambos casi la misma potencia.

Claro pero ahora como esta el circuito cualquiera de los transistores que comienzen a conducir va a obligar al otro tambien a disminuir. Disminuye la corriente de base del darlington, luego disminuye la corriente en AMBOS transistores lo cual afecta a ambos
y obteniendose siempre esa "disparidad" entre uno y otro, distinto es si cada uno es manejado independientemente, es decir que se maneje la corriente de base de los transistores de potencia SIN afectar al otro. El tema aca es que se va a proteger el transistor, va a sufrir siempre el que mas ganancia tenga. Pero ante un exceso de corriente de lo que nos aseguramos que no pase solo le recortaria la corriente a 1 solo, manteniendose en el limite mientras el otro es el que incrementa.

A lo que voy, no es una solucion de como disminiur la diferencia entre los 2, esto creo que unicamente es posible en paralelo si ambos esta en el mismo silicio, y aun asi no se elimina, obviamente se puede disminuir usando el mismo disipador asi comparten temperatura, pero veo a este circuito como una proteccion, que tal ves por culpa de un transistor no puedas llegar a los 5A, vuelvo a dar un ejemplo.

Limite de corte de proteccion 2.5A
Q1 = 3A
Q2 = 2A

Circuito de ahora: Proteccion actua en Q1 esta proteccion le quita a ambos, bajan AMBOS de corriente sopongamos la misma cantidad Q1 = 2.5A Q2=1.66A , efecto de realimentacion intenta subirlo, pero nuevamente tu proteccion lo baja para mantenerlo en 2.5A a Q1 lo cual lo maximo que podes sacar sin que limite es de 4.1A

Circuito con actuacion individual:  Actua proteccion de Q1= 2.5A, Q2 no se ve afectado Q2=2A , tenemos 4.5A, realimentacion permite mas corriente a la base. se incrementa mas la corriente de base, la proteccion hace que Q1 siga sin superar los 2.5A, mientras que Q2 puede seguir aumentando hasta 2.5A que empezaria a funciona SU proteccion. Finalmente tenes tus 5A de salida.

Con respecto a la tension, Q2 va a seguir manteniendo su Vce + Vr que es la maxima caida de tension, y ocurre en ambos casos. la diferencia es la posible entrega de corriente a esa tension.

Si las resistencias hiciera de equalizadores(para que por ambos crucen la misma corriente por sus caidas de potencia) solamente haria falta UN solo circuito de "proteccion/limite" ( T8 o T9) ya que estarian conduciendo lo mismo las 2 ramas.
Finalmente esto suponiendo esa disparidad de los transistores, que imagino debe ser MUCHO mas chica y tal ves no sea TAN exigente como opino. Ademas mientras mas corriente de colector menos ganancia lo cual intentan por si solos acomodarse. Y tal ves como dije no sea necesario esa proteccion individual y sea suficiente la que ya esta.

[juaperser1]

Cierto tienes razón eso parece que podría pasar, y tendriamos entonces menos de 5 Amperios al estar unida la protección.

Quizá por eso chaly a sobredimensionado la fuente a mas de 6 amperios, con esto quizá esta incluida la posible disparidad de los transistores, va a existir disparidad, pero no creo que tan alta como para se salga de 1 amperio y pico.

una posible solución a ese posible problema es el que tu comentas seperarlos en vez de que estén juntos pero de esta manera, quitamos las dos otras dos ventajas que tenia colocarlos asi:

2) Dichas resistencia son usadas para el "balanceo" de los transistores de potencia, como los transistores no son iguales, pues el que posea una tensión de polarización base/emisor menor entrará en conducción, circulando por el casi la totalidad de la corriente y por el compañero muy poco o casi nada, entonces dichas resistencia, al entrar primero una en conducción, eleva la tensión base/emisor de dicho transistor permitiendo alcanzar la tensión del compañero y casi de manera unísona entran en conducción ambos, y teniendo los mismos una corriente si no iguales, muy similares disipando ambos casi la misma potencia.

3) Al momento de realizar la lectura de "Corriente" por ese ramal de la fuente, dichas resistencias serán el shunt del amperímetro, o sea evitamos colocar un nuevo shunt, que significaría una perdida de tensión/potencia extra y usamos los ya presentes para sensar/medir la corriente.

supongo que esto ya no seria asi, si se pusieran independientemente ya que tendriamos que medir dos intensidades con 2 shunt y se acabo el balanceo cada uno actuaria por su cuenta.

supongo que las disparidades de los transistores no serán tan altas como para se vea afectado el circuito. Quizá chaly pueda resolvernos esta duda.

un saludo

[Chaly29]

Hola a todos, jajajaja los dejo hablar un rato solo y se hacen un peliculón jajaja, pero bueno, todo comentario es bueno.

KILLERJC, es válida tu teoría, pero tiene muchas desventajas y pocas ventajas, paso a explicarte

Claro pero ahora como esta el circuito cualquiera de los transistores que comienzen a conducir va a obligar al otro tambien a disminuir. Disminuye la corriente de base del darlington, luego disminuye la corriente en AMBOS transistores lo cual afecta a ambos

Esto es tal cual lo comentas y pasa exactamente eso.

y obteniendose siempre esa "disparidad" entre uno y otro, distinto es si cada uno es manejado independientemente, es decir que se maneje la corriente de base de los transistores de potencia SIN afectar al otro. El tema aca es que se va a proteger el transistor, va a sufrir siempre el que mas ganancia tenga. Pero ante un exceso de corriente de lo que nos aseguramos que no pase solo le recortaria la corriente a 1 solo, manteniendose en el limite mientras el otro es el que incrementa.

Acá un pequeño error, va a sufrir más el que menor tensión Vbe tenga, que es el que antes entrará en conducción. Y tampoco sufrirá tanto más, supongamos tensiones distintas de Vbe a cada uno, y en los extremos 0.6Vbe para uno y el otro 0.75Vbe

0.75 - 0.6 = 0.15V
0.15V / 0.22 = 0.681 ampers más para el de menor tensión de Vbe

2.84 amperios para uno
2.16 amperios para el otro.

Cortocircuito total en la salida, 0V de salida los transistores se "comerán" los 20 volts totales de la fuente:

20 x 2.84 = 56.8W
20 x 2.16 = 43.3W

Acordarse que seleccioné transistores de las siguientes características:

Ic = 15A
Pd = 90W

Con 56.8 watts de disipación, fácilmente pueden trabajar a 75°C

Como ves, no van para nada exigidos. Y esto tal como lo hemos calculado es para casos muy extremos, por lo general no hay tanta diferencia entre ellos.

Para hacer protecciones independientes para cada transistor, pues deberás introducir una resistencia de muy buena potencia en cada base de los mismos (más caída de tensión), luego los T7 y T8 deberán estar montados sobre disipador y ser de bastante mayor potencia, luego la corriente que le robas a la base se la entregas a la carga, por lo que la protección ya no se comporta tanto como protección, complicarás todo el circuito sin ventajas.

Para que te sirva de tranquilidad, e realizado a mi viejo un regulador de 24V a 12V 20A que usa 5 transistores en esta configuración, con igual protección y te aseguro entrega los 20A y hace más de 6 años que funciona sin parar y aun ante la presencia de cortocircuitos a la salida (está montado sobre un camión), y nunca e tenido que repararlo.

A lo que voy, no es una solucion de como disminiur la diferencia entre los 2, esto creo que unicamente es posible en paralelo si ambos esta en el mismo silicio, y aun asi no se elimina, obviamente se puede disminuir usando el mismo disipador asi comparten temperatura, pero veo a este circuito como una proteccion, que tal ves por culpa de un transistor no puedas llegar a los 5A, vuelvo a dar un ejemplo.

Limite de corte de proteccion 2.5A
Q1 = 3A
Q2 = 2A

Circuito de ahora: Proteccion actua en Q1 esta proteccion le quita a ambos, bajan AMBOS de corriente sopongamos la misma cantidad Q1 = 2.5A Q2=1.66A , efecto de realimentacion intenta subirlo, pero nuevamente tu proteccion lo baja para mantenerlo en 2.5A a Q1 lo cual lo maximo que podes sacar sin que limite es de 4.1A

Circuito con actuacion individual:  Actua proteccion de Q1= 2.5A, Q2 no se ve afectado Q2=2A , tenemos 4.5A, realimentacion permite mas corriente a la base. se incrementa mas la corriente de base, la proteccion hace que Q1 siga sin superar los 2.5A, mientras que Q2 puede seguir aumentando hasta 2.5A que empezaria a funciona SU proteccion. Finalmente tenes tus 5A de salida.

Con respecto a la tension, Q2 va a seguir manteniendo su Vce + Vr que es la maxima caida de tension, y ocurre en ambos casos. la diferencia es la posible entrega de corriente a esa tension.

Y por esto mismo que aquí planteas es que dicha protección la e calculado para más de 3A, para ser exactos 3.18. Acordarse que
esta protección es el "último" recurso para salvar nuestra fuente ante la total falla del resto de los circuitos, o sea que se espera que esta protección nunca tenga que ser usada. Pero por las dudas....

Si las resistencias hiciera de equalizadores(para que por ambos crucen la misma corriente por sus caidas de potencia) solamente haria falta UN solo circuito de "proteccion/limite" ( T8 o T9) ya que estarian conduciendo lo mismo las 2 ramas.
Finalmente esto suponiendo esa disparidad de los transistores, que imagino debe ser MUCHO mas chica y tal ves no sea TAN exigente como opino. Ademas mientras mas corriente de colector menos ganancia lo cual intentan por si solos acomodarse. Y tal ves como dije no sea necesario esa proteccion individual y sea suficiente la que ya esta.

Es suficiente la que ya está, eso es asegurado, pero te corrijo un error, tienes razón que cuanta más corriente menos ganancia, pero no tiende a acomodarse solo.
El problema es que cuanta más corriente también más potencia disipada, y mayor temperatura, y menor tensión Vbe, por lo que más corriente aún, y este efecto, sobrepasa ámpliamente a la perdida de ganancia sobre todo porque no hay problemas en la entrega de corriente de base y el transistor puede "tomar" toda la que desee.
Este efecto que te comento se llama efecto "avalancha" y es muy común en amplificadores de audio mal regulados y se presenta en todos los transistores BJT, caso contrario para con los mosfet que por su diseño, ellos mismo tienden a salir del efecto "avalancha"

Espero esté claro este punto, y podamos continuar, espero comentarios/opiniones.

Un saludo.

Atte. CARLOS.

Pda. Aclaro que este tipo de protección es muy usado en todo tipo de fuentes lineales de alta potencia, no es un simple invento mío. Y si lo fuera, que tiene??? Funciona de maravillas lo tengo ampliamente probado 
 

[juaperser1]

Hola chaly estoy tratando de hacer la parte espejada de la fuente, pero tengo un problema para hacer una fuente de intensidad que consuma los 2 mA en vez de cederlos constantemente.

he hecho algo parecido a lo que tu tienes hecho jugando con la tensión de caida de diodo y transistor y asi que por la resistencia pase una intensidad determinada, hasta aqui perfecto, pero a la hora de engancharlo a un pardarlington de PNP la intensidad por la resistencia sigue siendo los 2mA, pero esta intensidad no pasa por el colector si no por la base del transistor y claro esto entonces no sirve para nada.

aqui el circuito (todo ideal):



creo que es por que la tension en el colector es mas alta que en el emisor del transistor, pero no se como solucionarlo.

un saludo y gracias

[Chaly29]

Hola juaperser1, aunque creo que todavía no es tiempo de empezar con el ramal negativo, pues falta por diseñar del positivo y estaría bueno que comprendamos bien como funciona el positivo para luego adentrarnos en el negativo, que presenta complicaciones extras.

Igual te presento parte del circuito negativo, fíjate si el PROTEUS lo simula correctamente, ya que yo no lo e hecho.



Aparte de lo anterior, pues el ramal negativo, por norma y facilidad de comprensión al leer el esquema, pues el negativo o GND del mismo va en la parte superior y los -20 Vcc en la parte inferior. Ya que como verás, de la manera que tú lo esquematizaste pues es bien complicado de comprender.

Un saludo.

Atte. CARLOS.

[juaperser1]

Ok chaly, veo que iba muy bien encaminado, lo probaré de nuevo en cuanto pueda ya que estoy un poco liado, pero debo decirte que he tenido problemas con la fuente de intensidad, como comentaba en el post anterior, el resto del circuito practicamente lo tenia igual que lo que has puesto y eso me pone contento , pero lo he ido simplificando para detectar el fallo, de todas formas volveré ha hacerlo a ver si es que estaba haciendo algo mal, ya que tambien debo decir que estoy empezando a simular circuitos ahora y puede ser que este haciendo algo mal.

De todas formas intentare esperar hasta que expliques bien la parte positiva, de toas formas estoy de exámenes(hasta las narices ya). Y ahora mismo no me conviene centrarme en esto, desgraciadamente tengo que contenerme de no pegarme los días con esto

Un saludo.

[Chaly29]

Hola juaperser1, es entendible lo de los exámenes, por supuesto eso debe tener la prioridad, espero tengas la mejor de las suertes con los mismo, así luego pueden enseñarme vos a mí.

Éxitos con los exámenes. Acá te estaremos esperando.

Un saludo.

Atte. CARLOS.

[Chaly29]

Hola gente, bueno, acá el ramal positivo completo.



Como pueden ver, por la derecha, se encuentran las entradas/salidas que se dirigen al micro, en este caso es para un micro que funcione con 5Vcc y posea por lo menos 2 salidas PWM o en su defecto hacer los PWM por software y dos entradas de conversor A/D

Las dos entradas inferiores son por donde llega el PWM los cuales controlarán la tensión y la intensidad máximas permitidas.

Las 2 salidas superiores que van hacia los conversores A/D son para las lecturas de tensión y corriente de salida que estaría entregando la fuente.

El amplificador operacional IC1 esta conectado como amplificador diferencial referenciado a masa, lo que hace es "tomar" la tensión de las resistencias shunt R47 y R48 y referenciarlas a masa.

El amplificador operacional IC3 está conectado como amplificado no inversor, y toma la tensión "referenciada" y la amplifica a un valor comprendido entre 0-5V para una corriente entre 0-5AA respectivamente, esta tensión de salida la tomamos para introducirla al microcontrolador y con ella medir la corriente de la fuente y también para enviarla al comparador IC2B y limitar por medio del mismo la corriente de salida de la fuente.

El amplificador operacional IC4 está conectado como un seguidor de tensión y la tensión de salida en enviada al microcontrolador para medir la tensión de salida de la fuente, para tensiones de salida de IC4 comprendidas entre 0-5V tenemos tensiones de salida de la fuente comprendidas entre 0-15V.

Espero comentarios, criticas y consultas.

Un saludo.

Atte. CARLOS.

[juaperser1]

Hola chaly me parece un circuito muy completo, y bien estructurado, no obstante me gustaría que me explicaras un poco la parte de medida de la intensidad, por ejemplo por que el uso de las resistencias R5 y R17 al igual que todo el lazo formado por R18, R22, R26 y R23, estas son las cosas que mas me cuesta pillar, ya que yo por ejemplo al no tener experiencia en la analogica yo hubiera colocado el amplificador diferencial directamente a las bornas de R48 y R47.

cuando pones esto:

El amplificador operacional IC2 está conectado como amplificado no inversor, y toma la tensión "referenciada" y la amplifica a un valor comprendido entre 0-5V para una corriente entre 0-5AA respectivamente, esta tensión de salida la tomamos para introducirla al microcontrolador y con ella medir la corriente de la fuente y también para enviarla al comparador IC2B y limitar por medio del mismo la corriente de salida de la fuente.

creo que te has confundido y te refieres al operacional IC3 y no al IC2 verdad?

el uso del IC4 tambien actua, si no me equivoco, como proteccion del microcontrolador convirtiendolo en alta impedancia.

-tambien me gustaria saber por que una resistencia antes y depues del potenciometro.

pues eso resumiendo, me gustaría una explicación, con formulas de por medio, del lazo de medida, sobre todo del de intensidad  

buen trabajo chaly da gusto ver analogica bien construida, y no como las basuras a las que me tenia que enfrentar en mi trabajo. ¿asi como iva a aprender?  

Hola juaperser1, es entendible lo de los exámenes, por supuesto eso debe tener la prioridad, espero tengas la mejor de las suertes con los mismo, así luego pueden enseñarme vos a mí.

Éxitos con los exámenes. Acá te estaremos esperando.

Un saludo.

Atte. CARLOS.

gracias por tus palabras de animo

un saludo

[micro_pepe]

Esto va tomando buena forma, y sobre todo muy didactico y practico, que es lo que necesitaba juaperser1.

He estado revisando el hilo, y creo que un detalle se ha escapado, que es el cálculo del fusible del transformador, si no recuerdo mal se ponen de 1.5 veces del consumo, entonces ¿sería de esta forma aproximado el cálculo?

Potencia máxima en DC: (20v + 20v) · 5A = 200w

En el primario suponiendo un rendimiento del 60%: P = 200 / 0.6 = 333w

Corriente por el primario: I = P / V = 333w / 230v = 1.45A

Fusible: 1.45A · 1.5 = 2.17A

Saludos!!!

[juaperser1]

Esto va tomando buena forma, y sobre todo muy didactico y practico, que es lo que necesitaba juaperser1. 

Cierto estoy muy contento, es mas de lo que esperaba cuando abrí el hilo.

Lo del fusible, creo que seria un poco mas por el sobredimensionado de la fuente a poco mas de 6amperios, el fusible debería actuar por encima de esto no?

Un saludo.